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CN0188-用于负高压轨的隔离式低端电流监控器

作者:时间:2011-08-18来源:网络收藏

轨的
电路功能与优势

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/178728.htm

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图1所示的完全电路可−48 V独立通道的,精度优于1%。负载流经位于电路外部的分流电阻。分流电阻值应适当选择,使得在最大负载电流时分流电压约为50 mV。

AD7171 的测量结果以数字码形式通过一个简单的2线SPI兼容型串行接口提供。隔离由四通道隔离器 ADuM5402 提供。除了隔离输出数据以外,数字隔离器ADuM5402还为电路提供隔离+3.3 V电源。

这一器件组合实现了一款精确的负供电轨电流检测解决方案,具有器件数量少、低成本、低功耗的特点。测量精度主要取决于电阻容差和带隙基准电压源的精度,典型值优于1%。

图1. 轨的电流器(未显示去耦和所有连接)

电路描述

该电路针对最大负载电流IMAX下50 mV的满量程分流电压而设计。因此,分流电阻值为 RSHUNT = (50 mV)/(IMAX)。

运算放大器级的“地”连接到共模源电压(−48 V)。运算放大器级的电压由“悬空”的5.6 V齐纳二极管提供,该二极管偏置到约2 mA的电流,这样便无需独立电源。在无修改的情况下,该电路的源电压范围为−60 V至−10 V。

U1A将分流电压放大49.7倍,其中G = 1 + R3/R2。零漂移放大器 ADA4051-2 的失调电压很低(最大值15 μV),对测量的误差贡献不大。50 mV的满量程分流电压从U1A产生2.485 V的满量程输出电压(参考共模源电压)。

U1B的反馈环路中有一个具有大VDS击穿电压(70 V)的N沟道MOSFET晶体管,它将U1A的输出电压施加于电阻R5两端,所产生的电流流经R6和R7。来自U1A的2.485 V满量程电压产生0.498 mA的满量程电流,它在电阻R7两端产生2.485 V的满量程电压。R7两端的电压施加于ADC的AIN−。当MOSFET短路时,电阻R6和肖特基二极管D2为AD7171提供输入保护。

注意,ADR381、AD7171和悬空齐纳二极管的电源电压由四通道隔离器ADuM5402的隔离电源输出(+3.3 VISO)提供。

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