富士通推出全新4 Mbit FRAM产品

　　2013年11月14日，富士通半导体(上海)有限公司宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容，因此能够应用在工业控制、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备中，取代原有具备高速数据写入功能的SRAM。此产品从2014年1月起开始为客户提供样品。

　　FRAM具备非挥发性数据储存功能，即使在电源中断的状况下仍能保护数据，随机存取功能则能高速写入数据。如果在写入数据时遭遇电源临时中断或是停电，FRAM仍能够安全地储存数据，因此即使在电源中断时FRAM还是能够立即储存参数信息并实时记录设备上的数据。

　　另外，MB85R4M2T无须任何电池即可持续地储存数据，因此有助于发展更小型、更省电的硬件设备，且能降低总成本。其优势包括：

　　1. 减少电路板面积

　　MB85R4M2T不需要通过电池储存数据，因此能减少50%以上产品中所使用PCB板的内存与相关零件的电路板面积。

　　2. 降低功耗

　　在主电源关闭的情况下，SRAM将数据保存在内存，其需要消耗约15 µW/秒的电流以保存资料。由于FRAM为非挥发性内存，在电力关闭情况下不会耗费任何电力。

　　3. 降低总成本

　　移除电池不仅降低零件成本，也免除了所有电池更换或维修相关的周期性成本，能大幅减低开发及营运的总成本。