新闻中心

EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > 南亚科:明年DRAM市场稳健,Q1供货仍吃紧

南亚科:明年DRAM市场稳健,Q1供货仍吃紧

作者:时间:2017-12-18来源:工商时报收藏

  今年市场强劲成长,技(2408)预期2017年第四季及2018年第一季供货将持续吃紧,平均销售单价走势稳健;展望2018,预期明年整体市场供需均衡且健康,市场将持续维持稳健。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/201712/373138.htm

  随着人工智能、物联网、智能汽车、高速运算等应用,促进半导体产业更多元发展,DRAM成为电子产品的关键组件,带动今年内存市场强劲成长逾50%。

  展望2018年,预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能,DRAM位年成长率在20%~25%,预估2018年需求将较2017年成长23%,预期2018年DRAM市场将持续维持稳健的态势。

  2017年全球半导体市场预计大幅成长20%,规模达4,111亿美元,内存市场年成长更高达57%,规模达1,260亿美元,2017年内存市场营收占半导体市场31%。

  内存市场于2017年突破1200亿美元规模,预估2017年DRAM市场成长率67%,产值685亿美元,预估2017年NAND Flash市场成长率51%,产值535亿美元,DRAM加NAND占内存市场总产值97%。

  就内存产业资本支出来看,NAND资本支出持续大幅提升,以作为扩充3D NAND产能所需,相对而言,DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能;预估,2018年DRAM位年成长率20%~25%, 2018年下半起将有新增DRAM产能投入量产,NAND位年成长率则达40%~45% ;预估2018年全球DRAM平均月产能将由2017年113.3万片微幅提升至2018年121万片,预期2018年DRAM市场供需均衡且健康。



关键词: 南亚科 DRAM

评论


相关推荐

技术专区

关闭