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MOSFET的驱动技术及应用

作者:时间:2018-09-04来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/201809/388426.htm

其实上管Q1驱动的供电在于 Cboot。

看下图,芯片的内部结构:

Cboot是挂在boot和LX之间的,而LX却是下管的D级,当下管导通的时候,LX接地,芯片的内部基准通过Dboot(自举二极管)对Cboot 充电。当下管关,上管通的时候,LX点的电压上升,Cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压。

当然芯片内部的逻辑信号在提供给驱动的时候,还需要Level shift电路,把信号的电平电压也提上去。

Buck电路,现在有太多的控制芯片集成了自举驱动,让整个设计变得很简单。但是对于,双管的,桥式的拓扑,多数芯片没有集成驱动。那样就可以外加自举驱动芯片,48V系统输入的,可以采用Intersil公司的ISL21XX,HIP21XX系列。如果是AC/DC中,电压比较高的,可以采用IR的 IR21XX系列。

下图是ISL21XX的内部框图。



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