MOSFET的驱动技术及应用
其核心的东西，就是红圈里的boot二极管，和Level shift电路。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/201809/388426.htmISL21XX驱动桥式电路示意图：
驱动双管电路：
驱动有源钳位示意图：
当然以上都是示意图，没有完整的外围电路，但是外围其实很简单，参考datasheet即可。
ISL21XX驱动桥式电路示意图：
驱动双管电路：
驱动有源钳位示意图：
当然以上都是示意图，没有完整的外围电路，但是外围其实很简单，参考datasheet即可。
自举电容主要在于其大小，该电容在充电之后，就要对MOS的结电容充电，如果驱动电路上有其他功耗器件，也是该电容供电的。所以要求该电容足够大，在提供电荷之后，电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。但是也不用太大，太大的电容会导致二极管在充电的时候，冲击电流过大。
对于二极管，由于平均电流不会太大，只要保证是快速二极管。当然，当自举电压比较低的时候，这个二极管的正向压降，尽量选小的。
电容没什么，磁片电容，几百n就可以了。但是二极管，要超快的，而且耐压要够。电流不用太大，1A足够。
隔离驱动。当控制和MOS处于电气隔离状态下，自举驱动就无法胜任了，那么就需要隔离驱动了。下面来讨论隔离驱动中最常用的，变压器隔离驱动。
看个最简单的隔离驱动电路，被驱动的对象是Q1。
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