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台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

作者:时间:2020-04-21来源:SEMI大半导体产业网收藏

近日,正式披露了其最新工艺的细节详情,其密度达到了破天荒的2.5亿/mm2!

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202004/412202.htm

作为参考,采用7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm2,密度103亿,平均下来是0.9亿/mm2,工艺密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下,就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。

性能提升上,5nm较7nm性能提升15%,能耗提升30%,而较5nm性能提升7%,能耗提升15%。

此外台积电还表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。

工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身,所以进度及技术选择都很激进,将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。



关键词: 台积电 晶体管 3nm

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