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美光推出 176 层 3D NAND

作者:时间:2020-11-10来源:IT之家 收藏

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚,宣告了自己最新的第五代 闪存技术,该技术具有 176 层存储单元堆叠。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202011/420116.htm新的 176 层闪存是与英特尔分手以来所研发的第二代产品,上一代 则是 128 层设计,算是的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下,美光 128 层 并没有特别高。此外,虽然升级到了 176 层,但仍落后于三星。

美光方面并未公布太多关于该技术的信息。

176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s,高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。与 96L NAND 相比,读(写)延迟提高了 35% 以上,与 128L NAND 相比,提高了 25% 以上。与使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模块相比,美光芯片的总体混合工作负载改善了约 15%。

IT之家了解到,美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。




关键词: 美光 3D NAND

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