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Rambus更新HBM3内存:单颗1TB带宽不是梦

作者:时间:2021-10-07来源:天极网收藏

在各类存储系统中,位于CPU内部的SRAM系统性能最强,读写速度最快。在外置存储中,最快自然是DRAM产品,目前带宽最高的HBM2e内存的引脚速率达到3.2Gbps。美国内存IP厂商在8月底宣布推出接口子系统,引脚速率提升至8.4Gbps,可为人工智能/机器学习 (AI/ML) 和高性能计算(HPC) 等应用提供TB级带宽,是当前速率最快的HBM产品。 

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202110/428654.htm

  预计,会在2022年末或2023年初流片,实际应用于数据中心 、AI、HPC等领域。国内的一流AI芯片厂商都和接触,预计行业将会快速升级到HBM3标准。Rambus大中华区总经理苏雷 、Rambus IP核产品营销高级总监Frank Ferro就Rambus HBM3的具体性能以及Rambus对客户的支持等进行了深入交流。 

  随着越来越多的公司进入人工智能市场,对内存带宽提出更多要求,神经网络和深度学习等AI应用也在不断推动内存带宽增长。Rambus的子系统提高原有性能标准,包含完全集成的PHY和数字控制器,可以支持当下很多AI及HPC应用。 

  从HBM3高达8.4Gbps/pin的数据传输速率可以得到,HBM3的单脚带宽达1075.2GB/s(1.05TB/s)。Rambus的HBM3支持标准的64位16通道,支持2、4、8、12和16 HBM3 DRAM堆栈,信道密度达32Gb。由于HBM3具有较高的数据传输速率和带宽,可以被广泛应用于AI、 机器学习、HPC等应用。HBM3采用2.5D架构,可通过堆叠的方式集成4条DRAM内存条,下方是SoC和中介层,最下面的绿色部分则是封装。

  作为对比,2016年HBM2的带宽为256GB/s,I/O数据速率为2Gbps;HBM2e的带宽达到460GB/s, 数据传输速率达3.6Gbps。SK海力士公布的HBM3带宽和传输速率分别为665GB/s和5.2Gbps;Rambus的HBM3性能又进一步提升,分别达1075GB/s和8.4Gbps。 

  对客户来说 ,Rambus会提供SI/PI专家技术支持,确保设备和系统具有最优的信号和电源完整性。作为IP授权的一部分 ,Rambus也将提供2.5D封装和中介层参考设计。虽然Rambus的HBM3性能比SK海力士更快,但Rambus会为客户的SK海力士提供支持。

  Rambus的HBM2/2E PHY( 端口物理层)支持台积电、三星等多个先进制程节点。其产品集成PHY、IO、Decap等,其客户可以直接采用,Rambus的芯片开发基本一次就能成功,无需返工,提升设计效率。 

  Rambus目前拥有3000余项专利和应用,主要的客户有三星、美光 、SK海力士等内存厂商和高通、AMD、英特尔等芯片厂商 。Rambus与SK海力士、三星等DRAM供应商关系紧密,芯片经过市场供应商的DRAM验证,能够为客户提供便捷地服务。 

  从市场来说,人工智能、机器学习越来越多地应用于各个领域。预计到2025年,用于人工智能领域的将达到100亿美元,全球数据使用量将达175ZB,年均复合增长率35%,服务器整体年增长率为8%。 

  与传统的GDDR显存相比,HBM拥有高带宽的特性,是数据密集型应用内存和数据处理瓶颈的解决方案之一。Rambus推出HBM3的IP,将再次推动HBM产品性能的提升,推动人工智能、高性能计算等应用发展。

  编辑点评:英特尔计划在第三代酷睿中加入HBM内存的支持,意味着HBM内存不再局限于显卡,也将冲击传统DRAM内存的生存空间,开展更快存储的竞争。




关键词: Rambus HBM3内存

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