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三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

作者:时间:2022-11-08来源:美通社收藏

作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度内存技术日上所承诺的,今日宣布,已开始量产产品中具有最高的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代。1Tb的全新在目前三星中具有最高的,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202211/440173.htm

三星电子第八代V-NAND,1Tb
三星电子第八代V-NAND,1Tb

三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示:"市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。"

三星电子第八代V-NAND,1Tb(晶圆背景)
三星电子第八代V-NAND,1Tb(晶圆背景)

通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的,使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。

*编者按:Toggle DDR接口版本——1.0(133Mbps)、2.0(400Mbps)、3.0(800Mbps)、4.0(1200Mbps)和5.0(2400Mbps)




关键词: 三星 V-NAND 存储密度

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