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安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件

—— 提高电动汽车和能源基础设施应用的能效
作者:时间:2023-05-10来源:电子产品世界收藏

全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块,具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on),采用行业标准封装

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202305/446399.htm

2023 年 5 月 10日—智能电源和智能感知技术的领导者(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源能源基础设施应用 

该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型器件,具有领先业界的超低Rdson),采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-ACAC-DCDC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度,采用优化的直接键合铜设计,实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度,适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)。 

高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说:最新一代汽车和工业产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。 

车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发,具有领先同类产品的开关损耗品质因数。



关键词: 安森美 EliteSiC M3S

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