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DDR5 重新下跌,内存现货价格未见回暖

作者:时间:2023-06-02来源:半导体产业纵横收藏

根据 TrendForce 最新公布的每周内存现货价格, 芯片的现货价格已经重回下跌趋势,导致整体现货价格没有回暖迹象。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202306/447268.htm

DRAM 现货市场:

芯片现货价格再次震荡下行,DDR4、DDR3 产品现货价格继续呈逐日递增跌势。现货市场整体还未出现价格反弹的迹象。近期,部分买家寻求小批量订单的报价,但这种需求并没有产生足够的动力来扩大整体成交量。目前,多数贸易商普遍认为现货价格已接近底部,但由于需求前景不乐观,仍处于被动备货状态。主流芯片(即 DDR4 1Gx8 2666MT/s)现货均价由上周的 1.543 美元下跌 0.97% 至本周的 1.528 美元。

Flash 现货市场:

供应商供应减少,效能显现,目前市场已达成共识,价格无法再进一步下跌。尽管交易量尚未相应放大,但现货价格整体开始企稳。512Gb TLC 晶圆本周下跌 0.49%,至 1.420 美元。

尽管市场没有回暖,但大厂的步伐没有停止。SK 海力士宣布,已完成现有 DRAM 中最为微细化的第五代 10 纳米级(1b)技术研发,并将适用其技术的 服务器 DRAM 提供于英特尔公司(Intel®)开始了「英特尔数据中心存储器认证程序(The Intel Data CenterCertified memory program)」。此程序是英特尔的服务器用第四代至强®可扩展平台(Intel® Xeon® Scalable platform)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

SK 海力士向英特尔提供的 DDR5 DRAM 产品运行速度高达 6.4Gbps(每秒 6.4 千兆比特),公司技术团队实现了目前市面上 DDR5 DRAM 的最高速度。与 DDR5 DRAM 初期阶段的试制品相比,数据处理速度提升了 33%。

另外,公司在此次 1b DDR5 DRAM 上采用了「HKMG(High-K Metal Gate)」工艺,与 1a DDR5 DRAM 相比功耗减少了 20% 以上。

SK 海力士强调:「通过 1b 技术的研发成功,将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的 DRAM 产品。」

SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕说道:「就如于公司在今年 1 月将第四代 10 纳米级(1a)DDR5 服务器 DRAM 适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器(4thGen Intel® Xeon® Scalable processors),并在业界首次获得认证,此次 1bDDR5 DRAM 产品验证也会成功完成。」

他又说到:「有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善,公司将以 1b 工艺量产等业界最高的 DRAM 竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将最先进的 1b 工艺扩大适用于 LPDDR5T 和 HBM3E 产品。」

另外,SK 海力士表示,为了将已完成一轮兼容性验证的 1a DDR5DRAM 适用于英特尔下一代至强®可扩展平台的追加认证流程也正在同步进行中。

三星电子也正式宣布,采用 12nm 级工艺的 DDR5 DRAM 内存芯片已经开启了量产模式。这种新型内存芯片单颗容量可以达到 16Gb(2GB),最高速度可达 7.2Gbps(等效频率 7200MHz),这相当于每秒钟可以处理两个 30GB 超高清电影。与之前的产品相比,12nm DDR5 的功耗降低了多达 23%,同时晶圆生产率提高了 20%,这将对服务器和数据中心的节能减排产生明显的贡献。值得一提的是,12nm 级工艺的 DDR5 DRAM 内存芯片的开发基于一种新型高 K 材料,该材料可以提高电池电容并使数据信号出现明显的电位差,从而更易于准确地区分。此外,三星还在降低工作电压和噪声方面取得了新的成果。

美光则在 1 月 19 日宣布推出新一代 DDR5 内存模块,产品覆盖 DDR5-5200/5600,最高拥有 48GB 容量的版本。据悉,美光新一代 DDR5 内存可以支持 5200MT/s 和 5600MT/s 的数据传输速率,以及 1.1V 电压下的 CL46 延迟,同时兼容 AMDEXPO 和英特尔 XMP 3.0 配置文件。该模块在与英特尔处理器兼容上性能提升了 49%,配置最高可达 48GB。美光的新 DDR5 存储模块已在英特尔处理器芯片上完成了认证。美光还与 AMD 在奥斯汀建立联合服务器实验室,以缩短存储芯片的验证周期。杨俊刚指出,从合作对象来看,三大存储芯片厂商在 DDR5 方面主要与英特尔和超威半导体服务器处理芯片供应商合作,能够高效提升处理器芯片和存储器芯片之间的兼容性。

DDR5 作为新一代 DRAM 存储技术,与 DDR4 相比在传输速率和容量方面出现较大突破。因此,厂商抢先布局 DDR5,是构筑自身 DRAM 技术优势的战略需求。

但业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不能太过乐观。受到全球经济前景不明朗、市场持续低迷、客户库存水位较高等因素影响,服务器 DRAM 市场的复苏速度将低于预期。Omdia 预计,今年服务器 DRAM 中采用 DDR5DRAM 芯片的速度将比预期的要慢。此前,市场预计 DDR5 将占据服务器 DRAM 市场的 28%,但当前这一数字已被调整为 13%。Omdia 的数据显示,2023 年第一季度,DDR5 DRAM 将仅占服务器 DRAM 市场的 3%,第二季度为 8%,这一比例将在第三季度跃升至 15%,在第四季度将达到 24%。

Server DRAM 预估 DDR5 第一季价格跌幅约 18~23%,略高于 DDR4,但 DDR5 第一季度导入率仅约 10%,故 Server DRAM 价格下跌幅度主要还是由 DDR4 决定,预估跌幅约 15%~20%。

目前存储器市场主要表现为市场需求疲软、库存仍处于高位,导致内存芯片价格下滑,存储器厂商整体营收下降。目前,市场下滑趋势还未达到终点,预计将持续一段时间。专家认为,这对 DDR5 DRAM 的市场渗透速度有较大影响。此外,由于目前 DDR5 成本较高,主要应用领域是对算力要求较大的数据中心、元宇宙、人工智能等领域的服务器产品,目前 DRAM 市场主流产品还是以 DDR4 为主,DDR5 替代 DDR4 产品还需要一定时间。



关键词: NAND Flash NAND DDR5

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