新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 新品快递 > 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET

—— 助力提高电源效率
作者:时间:2023-06-13来源:电子产品世界收藏

中国上海,2023613——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,于今日开始批量出货。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202306/447653.htm

image.png 

通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。 

该新产品采用TOLL封装,栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响,增强MOSFET的高速开关性能,从而抑制开关过程中的振荡。 

未来,东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线,以及已发布的650V DTMOSVI系列产品,并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。 

1:漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较 

image.png

Ø  应用

-    数据中心(服务器开关电源等)

-    光伏发电机功率调节器

-    不间断电源系统 

Ø  特性

-    低漏源导通电阻×栅漏电荷,有助于提高开关电源的效率

Ø  主要规格

(除非另有说明,Ta25

image.png注:

[1] 截至20236



评论


相关推荐

技术专区

关闭