英特尔制程路线遇阻：高通停止开发Intel 20A芯片

最新调查显示，高通已经停止开发基于Intel 20A工艺的芯片。郭明錤发布最新研究报告认为，高通关于Intel 20A芯片的决定可能会对英特尔的RibbonFET和PowerVia技术产生负面影响。这意味着Intel 20A可能无法在明年的预期时间内上市，进一步使得Intel 18A研发与量产面临更高不确定性与风险。

英特尔处于不利地位

先进制程进入7nm后，一线IC设计业者的高端订单对晶圆代工来说更为重要。一线IC设计厂商的设计能力、订单规格（尤其是最高端）、订单规模相比一般订单可以显著改善代工的技术实力，这也是台积电迄今为止领先其他竞争对手的关键因素，同时也是高通停止开发Intel 20A对英特尔造成的最大负面影响。

7nm之后IC设计商的开发成本大幅增加，难以与不同代工厂商在同一节点上合作。以高通3nm芯片开发为例，由于该公司已经与台积电、三星建立合作，加上裁员以及智能手机市场仍在下滑，其并没有足够的资源再来针对Intel 20A（约等同于3nm）开发芯片。

虽然英特尔称Intel 7已经大规模量产；Intel 4将于今年下半年上场，将用于Meter Lake；Intel 3正在按计划推进；Intel 20A以及Intel 18A的测试芯片已经流片。然而高通停止开发基于Intel 20A工艺的芯片将使英特尔处于不利地位，使得台积电和三星成为生产高通骁龙8 Gen 4的唯一可行选择。

值得注意的是，英特尔在去年公布Arrow Lake的时候宣布CPU模块会使用Intel 20A工艺，但后续不断有消息称会改用台积电的N3工艺，目前有消息称英特尔已经放弃在Arrow Lake使用20A工艺，它上面的所有芯粒都会交由台积电生产。

英特尔的制程路线

两年前英特尔CEO帕特·基尔辛格（Pat Gelsinger）雄心勃勃地公布了最新工艺路线图，力求在四年里迈过5个制程节点，分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A，同时围绕“IDM 2.0”战略打造世界一流的英特尔代工服务（IFS）。目标是半导体制造工艺可以在2025年赶上台积电，让英特尔重新夺回处理器领域的领导地位。

按照英特尔的计划，将在Intel 20A制程节点首次引入RibbonFET和PowerVia两大突破性技术，从而开启埃米时代。

· RibbonFET是对全环绕栅极晶体管（Gate All Around）的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构：该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

· PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输：该技术让芯片制造更像三明治，首先还是制造晶体管，然后添加互连层，接着翻转晶圆并进行打磨，在晶体管底层接上电源线。背面供电一方面让晶体管供电的路径变得非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，将平台电压降低优化30%；另一方面，解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互连瓶颈，实现了6%的频率增益和超过90%的标准单元利用率。

此外，英特尔还开发了全新的散热技术，并在基于Intel 4的、经过充分验证的测试芯片上进行了反复调试，测试芯片展示了良好的散热特性，PowerVia能达到了相当高的良率和可靠性指标。