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DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

作者:时间:2023-12-21来源:IT之家收藏

IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202312/454121.htm

三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。

报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。

报道称三星将 和 NAND 闪存的产量提高 24%,而 SK 海力士的目标是将 产能提高到 2022 年年底水平。

根据集邦咨询公布的 2023 年第 3 季度营收数据,在市场份额方面,三星在 领域占有约 38.9% 的市场份额,而 SK 海力士则为 34.3%。

在 NAND 领域,三星拥有约 31.4% 的市场份额,而 SK 海力士则占 20.2%。

DRAM 和 NAND 市场由于长期供应过剩,主要制造商都采取了减产的方式,这种情况直到近期才有所缓解。

在价格反弹的情况下,韩国两大公司计划进行重大投资,这引发了人们对器行业可能面临新挑战的担忧。

此外,业界普遍认为,未来一些与 AI 相关的应用将需要大容量内存支持。例如,明年全球智能手机出货量预计将增长 3%,预计将促进高价值内存市场需求的扩大。

集邦咨询也指出,近期有关内存厂商扩大投资、提升产能的消息,主要是受 HBM 市场需求增长的推动,而非所有产品的产能扩张。




关键词: 存储 DRAM NAND Flash

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