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三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存,速率可达 3.2GB/s

作者:时间:2024-01-30来源:IT之家收藏

IT之家 1 月 30 日消息,2024 年 IEEE 国际固态电路会议(ISSCC)将于 2 月 18 日至 22 日在旧金山举行,是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202401/455220.htm

根据会议公开内容:届时将展示其 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术,其中  IT之家此前已有相关报道,而 280 层 QLC 闪存将成为迄今为止数据密度最高的新型 NAND 闪存技术。

给出的主题“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”来看,其 280 层 1Tb QLC  闪存具有如下特征:

  • 280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存:

  • ——280 层:指该闪存芯片由 280 层存储单元垂直堆叠而成,从而提高了存储密度。

  • ——1Tb:指该闪存芯片的存储容量密度为 1024 G bit。

  • ——4b / cell:指每个存储单元可以存储 4 个二进制位,即每比特数据占用 0.25 个存储单元,进一步提高了存储密度。

  • ——3D-NAND:指该闪存采用 3D 堆叠技术,通过垂直堆叠存储单元来增加存储密度。

  • 28.5Gb / mm2 面密度:指每平方毫米存储单元可存储 28.5Gb 数据,表明其存储密度极高。

  • 3.2GB/s High-Speed 10 Rate:指该闪存芯片读取数据的最高速度为 3.2GB/s,High-Speed 10 Rate 可能指的是某种特定的接口或传输协议。

IT之家注:Gb 即兆位(G bit),是密度单位,与 GB(G Byte)不同。就目前已公开技术来看, 280 层 1Tb QLC  闪存的密度和速率均处于领先位置,但量产时间未知。


美光三星西数 / 铠侠SK 海力士长江存储
QLC 方案232 层 QLC280 层 QLC162 层 QLC176 层 QLC232 层 QLC
单位密度 mm219.5 Gb 28.5 Gb13.86 Gb14.40 Gb20.62 Gb
Die 容量1 Tb1 Tb1 Tb512 GbN/A
下一代发布日期?2024212 层 (未知)238 层 (2024)未公开

根据三星 PPT 来看,QLC NAND V9 闪存可以实现最高 8TB 的 M.2 硬盘,IO 速度超过 2.4Gbps(单个芯片),原始性能可与当今 TLC 闪存直接竞争,但具体上市产品表现如何仍待观察。




关键词: 三星 NAN闪存 GDDR7

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