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ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

—— ARM11S3C6410系列教程之四NANDflash操作
作者:Machinnneee时间:2013-12-24来源:电子产品世界收藏

  在本章开始之前,我们先来看下S3C6410内部结构:

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/203125.htm

  在图中,我们看到S3C6410内存部分有SRAM、SDRAM、几种类型,关于这几种内存之间的联系可参考s3c6410系列教程之三内存使用的介绍。从以上几节的介绍可以看出,若ARM11S3C6410设置为启动,则作为程序暂时储存的场所,我们不能不认真的理解下NANDflash的操作。

  在硬件上,使能 NAND Flash时, XSELNAND需保持为高电平,也就是AB16为高电平。

  在NAND Flash 控制器图解如下图所示:

  在图解中我们可以看出NAND Flash控制器片选信号、命令信号,地址信号,读信号、写信号、空闲/繁忙管脚和8个数据管脚组成,这大大方便了NANDflash的使用和控制。


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关键词: ARM11 DDR NAND flash 寄存器

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