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三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

作者:时间:2014-05-29来源:三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存收藏

  全球存储领军品牌电子今日宣布,已开始正式量产全球首款第二代立体垂直结构的“32层三维”。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/247622.htm

  电子此次推出的32层三维V-NAND,与之前推出的24层V-NAND相比,虽然堆叠存储单元的设计难度更高,但是因为可以直接使用生产第一代的设备,所以具有更高的生产效率。

三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

  除此之外,电子推出了基于第二代的高端固态硬盘系列产品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在去年面向数据中心推出基于三维V-NAND的固态硬盘之后,此次则开始进入高端电脑市场,从而进一步扩大了V-NAND产品的市场份额。

  三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人全永铉副总裁表示:“通过推出覆盖数据中心和高端电脑市场的一系列V-NAND固态硬盘产品,我们进一步拓展了三维V-NAND产品的用途。而今后也将继续为全球的IT用户及时地提供稳定,高性能和高密度的V-NAND固态硬盘和芯片,以促进市场快速采用三维NAND闪存技术。”

三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

  与采用MLC架构的平面NAND闪存芯片相比,使用三维V-NAND芯片的新一代固态硬盘不仅使用寿命提高一倍,而且功耗也降低20%。而预计今年下半年,三星电子更将继续推出更多基于第二代三维V-NAND的高端固态硬盘,以更高的稳定性和密度满足客户的多种需求。

  据市场调查机构Gartner近日发布的研究报告,到2017年,世界存储器市场规模预计将从755亿美元增长到797亿美元。届时,NAND闪存所占的份额将会过半,达到446亿美元。



关键词: 三星 V-NAND闪存

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