三星2015年底DRAM 20纳米制程比重将过半

　　三星电子(Samsung Electronics)正加速转换制程，2015年第4季整体DRAM产量中，将有5成以上采20纳米技术生产。三星预计以差别化制程技术，在伺服器和高阶移动装置用次世代DRAM市场上拉开与其他竞争对手的差距，维持市场独大地位。

　　据韩国首尔经济报导，三星计划在2015年底将DRAM产量中至少40%、最多50%以20纳米制程生产。

　　外电引用市调机构DRAMeXchange近期资料指出，三星20纳米DRAM生产比重在2015年第4季将提升到46%。韩国业者表示，目前20纳米伺服器用DRAM需求旺，三星全力转换制程，有余裕可达成目标。

　　三星2014年3月率先采20纳米制程生产PC DRAM，接着9月生产Mobile DRAM、10月生产伺服器用DRAM等，陆续扩大20纳米制程的制造产品，10月起正式投入20纳米制程加速生产(Ramp up)。

　　韩国科学技术院(KAIST)电子工程学科教授表示，20纳米芯片较25纳米等产品耗电量较低、减少发热情况、运算处理速度也较快。对使用高规格伺服器的企业，或准备推出次世代移动装置的制造厂而言，都是必需的产品。

　　目前除三星外，主要DRAM制造厂还停留在20纳米级制程。此外，韩国业界认为将为三星带来抢占市场的效果。即使竞争对手开始以20纳米制程生产产品，想要提升生产比重也还需要一些时间。

　　韩国业者表示，以25纳米制程也可以生产LPDDR4等次世代DRAM，但耗电量等性能比20纳米制程产品明显较差。在伺服器DRAM市场上，想改用三星20纳米DRAM的客户正持续增加。

　　SK海力士(SK Hynix)最快于2015年下半，也将把20纳米DRAM比重提升到近10%。韩国存储器业界在全球的主导权将更为稳固。SK海力士内部人员表示，生产准备已几乎完成，将投入正式量产。并强调将积极投入制程转换，不会落后于美国及日本企业。