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三星新快闪存储器技术 提升手机储存容量

作者:时间:2015-08-12来源:经济日报收藏

  宣布将以旗下第三代V-NAND技术打造容量更大、体积更小的256-gigabit (32GB)3D快闪记忆体模组,藉此让手机储存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同时,藉由新技术投入将可提升约40%产能,并且将能以此提供价格更具实惠的快闪记忆体模组,预计最快在今年下半年间至明年初即可应用在实际市售产品。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/278600.htm

  

 

  根据公布消息,确定将在今年下半年内投入第三代V-NAND技术,藉此打造容量更大、体积更小的256-gigabit (32GB)3D快闪记忆体模组,进而提升手机储存元件与PC用SSD相同体积的资料存放容量,其中后者将能加速全面迈入TB等级规格,同时于预期手机基本储存容量也能进一步提升。

  以新技术打造的48层、3-bit MLC 256Gb V-NAND快闪记忆体,将可在储存相同资料量时节省约30%耗电,同时相比先前32层、3-bit MLC 128Gb V-NAND快闪记忆体规格,约可提升40%产能表现,预期将可进一步降低快闪记忆体市场售价,并且让SSD产品价格更趋于亲民化,预期也将可让入门款智慧手机储存容量扩大。



关键词: 三星 存储器

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