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ROHM推出80V级高耐压DC/DC转换器,采用多种工艺手段

作者:王莹时间:2015-12-09来源:电子产品世界收藏

  不久前,面向需要大功率(高电压×大电流)的通信基站和工业设备领域,开发出耐压高达80V、电流最大3A的MOSFET内置型——BD9G341AEFJ。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/284133.htm

  公司LSI商品开发本部工业设备战略部部长上林忠史称:在工业领域,48V电源用量很多,例如通信基站主流是48V,特点是可保持长距离供电情况下,电压下降不是很大;在紧急供电应用中,48V也是种很好的选择。此次发布的新产品是旗舰产品,今后希望继续扩展该产品家族。

  耐压80V的DC/DC产品,不仅在于提升各单元的电压承受能力,同时需要在模拟电路设计上做出更多的探讨。首先由于需要更宽的工作范围,在电路设计和结构上需要一些特别的处理,而且芯片里会集成若干二极管、电阻和电容,耐压提高后带来了寄生电容特性变化,因此模拟电路设计时要充分考虑到。再有,电压提高后,抗静电方面也需要考虑,即在电路设计方面需要考虑可靠性。

  “制造高耐压DC/DC产品,最重要是工艺。”半导体(上海)有限公司设计中心应用技术二部的高级经理周劲指出。此款产品采用了BiCDMOS工艺,把BiPolar(双极型,掌管模拟电路)、CMOS(特点低耐压,掌管MCU等的逻辑电路)、DMOS(掌管高耐压、大电流的功率输出部分)结合在一个LSI(大规模集成电路)制程中。20年前ROHM就推出了3.0微米,2003年实现了0.6微米工艺,现在已达到0.13微米工艺。但此次新产品只采用0.6微米、300mm晶圆工艺设计。原因是特征尺寸更小的工艺适合电脑等逻辑控制复杂、耐压较低的产品。而0.6微米不仅耐压较高,而且工艺较成熟,例如在消费类电子上已推出了1600种产品,在车载上也有应用,因此不用担心工艺可靠性的问题。

  此次新产品的另一个亮点是采用了二次外延工艺(如图1),以适合高耐压。因为耐压提高后,也需要更好的绝缘效果,通常的做法是把外延拉长,一般来说纵向与横向都会拉大,横向加大后会致使芯片尺寸增加。而二次外延工艺使纵向尺寸加大的同时,横向没有变化。因此,同样管芯(die)情况下,ROHM的芯片尺寸会比竞争对手的尺寸小。

  最后,ROHM的特色是一条龙生产,即从晶圆生产到掩膜、组装全部由ROHM掌控,保证供货稳定,不会因为末端代工晶圆厂的生产排期而影响供货。另外可以保证长时间的生产供货,确保10年或更长时间的持续稳定供货。再有,开发设计、晶圆生产等整个流程在公司内部控制中,可保证产品高品质,设计和工艺可以完全匹配。



关键词: ROHM DC/DC转换器 201512

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