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深入研究DDR电源(07-100)

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作者:飞思卡尔公司 Norman KW Chan(营销经理)和WS Wong(系统工程师) 时间:2008-04-18来源:电子产品世界收藏

  

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/81733.htm

  为了对DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM间的差异进行比较,参考表2。

  先将运行时钟频率或速度放在一边,单从工作电压这一点来看,我们能够看出DDR1、DDR2和DDR3存储器分别由2.8,1.8和1.5V的电压来供电。因此,与使用3.3V电压的SDRAM标准芯片集相比,这些存储器在产生更少热量同时还实现了更高的效率。DDR3通过采用 1.5V的工作电压,消耗的功率比DDR2(采用1.8V)更少——较DDR2降低了16.3%。DDR2和DDR3存储器都具有节能的特性,如采用了更小的页面尺寸和有效的掉电模式。而且,DDR存储器接口采用新的串联端接逻辑()拓朴,旨在提高抗噪性、增加电源抑制并通过更低的电源电压来降低功耗(针对可比的速度)。另外值得注意的一点是,DDR3和DDR2 SDRAM支持片内端接,而DDR1 SDRAM不支持。

  这些特性和功耗优势使它们特别适合用于笔记本电脑, 服务器和低功率移动应用。

  这里,我们总结了不同的DDR SDRAM的电源管理系统需求。SDRAM和目前正在应用的DDR SDRAM相比的主要差别是:

  ·电源电压;

  ·接口;

  ·数据传输频率。

  对于电源电压,DDR SDRAM系统要求三个电源,分别为表3所列的VDDQ、VTT和VREF。

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