中芯国际牵手飞索投产武汉12英寸厂

　　不见传说中的“尔必达”，却见名不见经传的“飞索”。

　　9月22日，中芯国际(0981.HK；NASDAQ:SMI)武汉12英寸芯片厂——武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)宣布了12英寸半导体生产线正式投产。然而在投产典礼上，人们并未如期见到先前呼声很高的日本DRAM大厂尔必达的身影，来自美国的飞索半导体(NASDAQ:SPSN)取而代之，成为了武汉新芯最重要的战略合作伙伴。

　　当日，武汉新芯、中芯国际和飞索三方达成战略合作:飞索向中芯国际转移65纳米、43纳米相关生产工艺及技术，武汉新芯则作为飞索半导体的重要生产基地，为其提供NAND型记忆体产品代工。

　　武汉新芯于2006年6月28日开工建设，由湖北省、武汉市、东湖高新区三级财政共同投资，并委托中芯国际经营管理，中芯国际承诺将根据经营情况未来对武汉新芯进行回购。飞索则是全球最大的NOR闪存芯片供应商。三方战略合作协议的签署，意味着这一历时22个月建设期、一期工程耗资100亿元人民币的大规模集成电路制造项目终于迈出了里程碑的一步。

　　结盟飞索

　　投产典礼当天，中芯国际联合飞索也共同宣布达成战略合作，据了解，此协议有效期5年，目前该12英寸生产线的月产能为3000片闪存晶圆，双方预计2010年可达3万片/月。

　　对外界而言，飞索与中芯国际的合作颇为突然。一直以来，中芯国际与尔必达交往甚密，消息人士透露，双方本意是以武汉这条12英寸生产线为基地，共同合作生产DRAM产品；不过，因中芯国际、尔必达与武汉市政府三方部分合作条件谈不拢，加之DRAM价格持续大跌，引发了中芯和武汉方面对未来市场的担忧，最后此合资设厂案最终流产；随后尔必达转向苏州市政府，与另一合作伙伴在苏州新设立了一条12英寸生产线，中芯国际则在年初结束与尔必达的合作关系，开始为新芯寻求出路，“飞索正是在此情况下进入了中芯视野”。

　　一直致力于发展NOR型闪存的飞索半导体是AMD与日本富士通分别剥离旗下NOR业务成立的合资公司。根据iSuppli的数据，2008年一季度，飞索产品占据了NOR市场37%的份额，是目前全球最大的NOR产品生产商。

　　闪存是一种非易失性存储器，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，NOR和NAND是闪存的两类产品。一直以来，飞索面临着单一销售NOR芯片的困境，因为NOR闪存的利润日益微薄，虽然NOR闪存在手机等产品中的用量不断提高，但边际利润逐步缩小，且价格竞争异常激烈。更残酷的现实是，NAND内存也在侵入手机市场，有可能以牺牲NOR为代价。

　　受累于NOR产品的竞争，飞索自从2004年第2季度以来就一直未能盈利。根据其财务报表，公司累计亏损已达近十亿美元，与中芯国际的合作可以在不增加投资支出的情况下扩大生产规模，这对飞索半导体意义重大。飞索半导体全球CEO Mr Cambou接受本报记者采访时用“关键战略”形容此次合作。

　　在此之前，台积电一直是飞索最重要的代工伙伴。Mr Cambou说，双方去年结束了合作关系，继而转向与中芯国际合作。飞索除了技转65纳米ORNAND给中芯，后续也将委由中芯代工45纳米EcoRAM产品和43纳米的ORNAND2技术予中芯，并移转至中芯代管的武汉厂生产。

　　中芯新机会

　　对于与飞索的合作，中芯国际总裁兼执行长张汝京接受记者采访时不吝溢美之词。然而，对中芯国际而言，与飞索的合作究竟是不是一个发展的新机会呢？

　　就在投产典礼前夕，中芯国际刚刚发布了2008财年半年度报。财报显示，今年上半年公司收入7.05亿美元，相比2007年的7.63亿美元，减少7.6%；净利润则亏损2.7亿美元，相比去年同期的670万美元，同比减少4000%。对于巨亏原因，中芯国际表示，是因为公司退出价格下降迅速的DRAM存储芯片市场，以及北京工厂的存储芯片生产线转为逻辑芯片生产线。

　　中芯国际分别在武汉、北京、上海拥有三条12英寸生产线(武汉生产线目前为国有，按规定中芯国际未来将进行回购)，并计划在深圳分别投资一条8英寸和12英寸芯片生产线。在中芯北京厂产品由存储芯片转为逻辑芯片后，该厂传出了裁员消息。据消息人士透露，中芯国际引入战略投资者计划近来进展不顺，很有可能暂时搁置，因此对张汝京来说，现在可能是中芯国际成立以来面临的最艰难时刻。

　　某种程度上看，与飞索的合作为中芯国际未来发展提供了一个新契机。根据双方计划，未来五年内武汉新芯都将是飞索重要的代工伙伴，这意味着中芯获得了一个长久稳定的重要客户；另一方面，飞索对中芯国际的技术转让可以帮助中芯避开与台积电的专利官司带来的潜在风险，因为根据美国加州法院裁定文件，未来若中芯将其0.13微米以下工艺技术转移给具有伙伴关系的第三者，须具文告知台积电，也就是未来若新芯与中芯有相关制程合作，台积电对此举动有提出异议的权利。

　　张汝京说，飞索目前拥有电荷捕获(NAND生产中的一项主流技术)技术的3000多项专利，更为重要的是，飞索NAND生产的设备和工艺与逻辑产品的工艺非常相似，可以很容易利用同样设备在逻辑芯片与闪存芯片产品之间切换，如果将来新芯的技术从65纳米升级到32纳米，除光刻机外，新芯只需增加光刻机设备，这样一来可以节约大量的设备投资开支。

　　武汉新芯总经理刘丹平向记者表示，发展大型半导体制造工业必须具备五个要素，即资本、完整团队、专利技术授权、市场(明确的大客户)和政府的决心及政策，武汉新芯有资本和团队，但市场和技术却不能由政府所把控，飞索的到来帮助新芯解决了市场和专利技术授权问题。

　　瓦森纳协议风险

　　根据双方披露的信息，未来武汉新芯将采用65纳米和43纳米工艺技术生产闪存芯片，事实上，双方有关更高阶的32纳米级工艺授权协议也已签署，这意味着武汉新芯将成为国内最先进半导体工艺生产线，比英特尔位于大连的12英寸工厂所采用的90纳米工艺高出一至两个世代。

　　这引发了外界的担忧，飞索向中芯国际转移如此先进工艺技术，是否会引来美国政府的不满或者受限于瓦森纳协议？

　　美国政府对高技术产品的出口管制，是美国半导体企业对外发展必须要过的第一道关隘。美国政府参照的是1995年由28个国家共同制定的“瓦森纳协议”(Wassenaar Arrangement)。这个协议中，对敏感军用和军民两用技术出口到发展中国家进行严格管制，其中对半导体的限制是0.25微米。但这是一个早已过时的管制。2004年，中芯国际已达到了0.18微米的量产。现在，美国也将上限调整到0.18微米。

　　“我对瓦森纳协议的理解是，这是一个方向性的协议，实际上不是针对某个具体的技术型号的。在当时最领先的科技肯定要受到严格审查，而不那么前沿的科技，出口许可证则要视产品的最终用户和用途而定。”市场研究公司ICinsights的主席比尔·迈克里恩说。

　　“这的确是个非常敏感的问题。”飞索半导体CEO Mr.Cambou对记者表示，不过，美国对出口技术的限制主要是技术含量较高的逻辑产品，对于存储的设备产品出口管制不是很严格；另外，限制的技术主要是针对军事用品，目前飞索转移至武汉新芯的技术所生产的产品全部系民用，因此也不存在违规的问题，有关于设备工艺产品的进口许可问题，主要由中芯国际方面负责协调。

　　张汝京坦言，说服众多瓦森纳协议相关国家及地区获得工艺和产品出口许可是一项“非常具有挑战性”的任务，在此之前，由于受到相关公司及政府部门的阻挠，中芯国际在购买美国半导体工艺设备方面遇到了很大阻力。

　　虽然中芯国际可以很轻易地从日本和荷兰购买到同样的芯片制造设备，但是张汝京并没有放弃在美国的努力，因为公司大多数工程师在美国培训，对美国厂商的设备和工艺更加熟悉，张曾和中芯国际公司的其它高层数次飞赴华盛顿进行游说。

　　“目前公司已经拿到65纳米和43纳米相关工艺产品的出口许可，而更高阶的32纳米出口许可也已获得，将自2009年1月1日开始正式生效。”张汝京说。