三星发布30nm工艺moviNAND嵌入式闪存

　　三星电子宣布已开始出货32GBmoviNAND，这种高密度嵌入式闪存卡采用了先进的30nm工艺，适用于高端手机和其他移动消费电子设备。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND闪存芯片和30nm制造工艺，其存储密度是当前40nm16Gb的两倍。

　　每一个32GB moviNAND都有三部分组成，其一是八颗30nm32GbNAND闪存芯片;其二是一个MMC控制器，符合最新eMMCv4.3规范，支持缩短启动时间的加电启动功能和降低功耗的休眠命令;其三是一个固件，能够改善处理、存储大容量数据时的性能。

　　除了32GB，三星30nm moviNAND闪存卡还有16GB、8GB和4GB三种容量。