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IGBT 是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写， 中文名称是“绝缘栅双极晶体管”（还是中文看起来一目了然，有了：“哦，大概懂了这是个啥东西”的赶脚）。IGBT 是由 MOSFET 和 双极晶体管组成的复合器件（有没有混动新能源汽车的意味？哈哈哈），是同时具备这两种产品优点 的功率晶体管。和三极管、MOS管类似，IGBT 有 N 沟道型和 P 沟道型两种，目前 N 沟道型是主流产品（好像半导体中鍺有关的产品也很不受待见啊）。

图 1 是 N 沟道 IGBT 的电路图符号及其等效电路。这里为了便于理解，给出的是相对简单的示意图。包括结构在内，实际的产品会更复杂 一些。GBT具有栅极、集电极、****极3个引脚。栅极与MOSFET 相同，集电极和****极与双极晶体管相同。在 N 沟道型的 情况下，IGBT 与 MOSFET 一样，通过电压控制元件给栅 极施加相对于****极的正电压时，集电极-****极之间导通， 流过集电极电流。