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存储 文章 进入存储技术社区

SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”

  • · 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40%· “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高
  • 关键字: SK海力士  AI  存储  NAND  

三星存储业务重心转向企业领域: 目标今年 HBM 产量增加 3 倍,明年再翻番

  • IT之家 5 月 8 日消息,三星公司在最近召开的财报电话会议中表示,未来公司存储业务的重心不再放在消费级 PC 和移动设备上,而是放在 HBM、DDR5 服务器内存、企业级 SSD 等企业市场。IT之家翻译三星存储业务副总裁 Kim Jae-june 在电话会议上表达内容如下:我们计划到 2024 年年底,HBM 芯片的供应量比去年增加 3 倍以上。我们已经完成协调 HBM 芯片供应商,在共同努力下目标在 2025 年让 HBM 芯片产量再翻一番。英伟达目前已经转型成为 AI 硬件巨头,成为全
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全球五大存储原厂最新财报公布!

  • 近期,存储五大厂三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据最新一季财报已纷纷披露,五大厂业绩均呈上行态势。目前观察市况手机、PC和服务器等终端应用需求回温,带动存储器需求上涨,但值得注意的是,行业总体复苏态势有所放缓,市场期待后续存储新技术带动市场持续回温。存储五大厂业绩均呈上行态势三星:新机发布叠加存储涨价,一季度净利润同比增长931.87%4月30日,三星电子发布一季度最新财报。据悉,受益于Galaxy S24旗舰手机销售强劲,加上存储器价格上涨,并且高附加值产品需求提升,三星电子一季度财销售额71.
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江波龙嵌入式存储选型指南

  • FORESEE嵌入式存储产品线于2011年创立,同年推出国内首款量产eMMC。经过十余年与行业客户的共同成长,目前 FORESEE嵌入式存储涵盖了Flash、DRAM、多芯片封装三大 类系列产品,广泛应用于汽车电子、工业控制、智能手机、平板电脑、智能电视、智能穿戴、网络通信等诸多领域。同时,嵌入式存储产品与高通(Qualcomm)、联发科(MediaTek)、紫光展锐(UniSOC)等一众芯片平台厂商建 立了长期紧密的合作关系,全面满足全球众多消费领域、工业领域、汽车领域等企业稳定可靠的产品供应需求
  • 关键字: 江波龙  存储  嵌入式  

全球两大存储厂新消息!

  • 近日,三星、铠侠两大存储厂公布新消息:三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。三星开始量产第9代V-NAND4月23日,三星电子宣布,其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产,巩固了其在NAND闪存市场的地位。据三星介绍,第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,支持将数据输入/输出速度提高33%,达到3.2Gbps。除了这个新接口外,三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组,
  • 关键字: 三星  铠侠  存储  

业界首创512GB CXL AIC内存扩展卡,江波龙革新AI与高性能计算领域内存技术

  • 人工智能大模型计算、高性能计算(HPC)以及数据中心等行业的迅猛发展,对计算机系统内存性能的需求日益提升,业界对具备高带宽、低延迟性能且超大容量的内存需求也愈发迫切,以支持CPU和GPU进行高速、大吞吐量的浮点运算。在此背景下,江波龙日前在CFMS2024展出了一款基于Compute Express Link (CXL)技术的创新内存扩展设备——CXL 2.0 AIC内存扩展卡,为计算机系统提供了强大的内存支持。据悉,这款CXL 2.0 AIC内存扩展卡采用了非DRAM on-board封装设计,可兼容多
  • 关键字: 江波龙  存储  元器件  

价格和需求同亮眼,HBM存储及先进封装将迎来扩产

  • 市场对人工智能的热情还在持续升温,随着芯片库存调整卓有成效,以及市场需求回暖推动,全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升,内闪存产品价格均开始涨价。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于AI需求高涨,目前英伟达(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏,除了CoWoS是供应瓶颈,HBM亦同,主要是HBM生产周期较DDR5更长,投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。行业人士表示,在产能紧缺下目前DRAM以及绑定英伟达新款AI芯片的HBM存储系统售价更高。在此带动下,从今年
  • 关键字: HBM  存储  先进封装  

江波龙企业级SSD再度通过OpenCloudOS兼容性认证,产品力获认可

  • 近日,江波龙旗下企业级存储产品FORESEE UNCIA 3836系列企业级SATA SSD产品完成与OpenCloudOS/TencentOS相互兼容认证。测试认证期间整体运行稳定,在功能、性能及兼容性方面表现良好。自研高能固件锻造硬核产品力FORESEE UNCIA 3836系列SATA SSD由江波龙自主研发,产品经过专业可靠性设备验证,打造高可靠、高稳定的企业级存储方案。该款产品采用128层3D eTLC NAND Flash,支持SATA 6.0Gbps接口,容量覆盖480GB至3.84TB,耐
  • 关键字: 江波龙  存储  元器件  

首颗自研2D MLC NAND Flash 江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力

  • 江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域,产品及服务获得客户高度认可。继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。该产品采用BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,将有望应用于eMMC、SSD等产品上,为公司存储产品组合带来更多可能性。随着自研2D MLC NAND Flash的推出,江波龙将在半导体存储品牌企业的定位和布局上持续深耕,不断提升核心竞争力。 越过高门槛NA
  • 关键字: 江波龙  存储  

FORESEE全新工规级DDR4 SODIMM,高可靠性助力工业自动化数据存储

  • 在智能制造与工业自动化日益精密的今天,数据处理的实时性、稳定性和耐久性成为衡量系统性能的关键指标,内存条作为存储系统的核心部件,其性能与稳定性直接影响到整个系统的运行效果,尤其是在工业控制、电力应用、电信设备等关键领域,对内存条的稳定性和耐用性要求更为严苛。近日,江波龙推出全新的FORESEE工规级DDR4 SODIMM,为严苛工业环境下的计算机系统提供强大而可靠的“稳定内核”。FORESEE工规级DDR4 SODIMM覆盖4GB、8GB、16GB、32GB多种容量选择,拥有1R×8、2R×8、1R×16
  • 关键字: 江波龙  存储  元器件  

消息称三星 Galaxy Watch 7 存储空间增加到 32GB,共有三个版本

  • 3 月 25 日消息,据外媒 SamMobile 报道,Galaxy Unpacked 活动将于2024 年 7 月举行,比以往要提前几周。现在,关于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光。▲Galaxy Watch 6根据爆料,三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三个版本,比以往多一个,但仍然不知道被命名为什么。三星还升级新品的存储空间,将从Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB,用来存储户外锻炼的离线音乐、应用程序以及
  • 关键字: 三星  Galaxy Watch 7  存储  32GB  

美光表示24年和25年大部分时间的高带宽内存已售罄

  • 美光目前在高带宽内存市场上处于劣势,但看起来情况正在迅速变化,因为该公司表示其 HBM3E 内存供应已售罄,并分配到 2025 年的大部分时间。目前,美光表示其HBM3E将出现在英伟达的H200 GPU中,用于人工智能和高性能计算,因此美光似乎准备抢占相当大的HBM市场份额。图片来源:美光“我们的 HBM 在 2024 日历上已经售罄,我们 2025 年的绝大部分供应已经分配完毕,”美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周为公司财报电话会议准备的讲话中表示。“我们继续预计 HBM
  • 关键字: 美光  存储  AI  HBM  

CFMS2024 | 江波龙:突破存储模组经营魔咒

  • 3月20日,2024中国闪存市场峰会(以下简称“CFMS2024”)在深圳成功举行,本届CFMS2024以“存储周期 激发潜能”为主题,汇聚了全球存储产业链及终端应用企业,共同探讨新的市场形势下的机遇。在CFMS2024峰会上,江波龙董事长、总经理蔡华波发表了题为《突破存储模组经营魔咒》的演讲,分享公司从“存储模组厂”向“半导体存储品牌企业”全面转型升级的战略布局,以及如何实现从销售模式到用芯服务的模式跨越。(江波龙董事长、总经理 蔡华波)蔡华波深入剖析了存储模组厂当前面临的经营痛点。随着市场竞
  • 关键字: 江波龙  存储  元器件  

SK海力士超高性能AI存储器‘HBM3E’,全球首次投入量产并开始向客户供货

  • · 继HBM3,其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货,期待能实现最高性能的AI· “将维持用于AI的存储技术全球领先地位,并巩固业务竞争力”2024年3月19日,SK海力士今日宣布,公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*,将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后,仅隔7个月取得的成果。SK海力士表示,“继HBM3,公司实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。将通过成功HBM3
  • 关键字: SK  海力士  存储  AI  

集邦咨询:存储新技术DDR、HBM等大放异彩

  • 迈过2023年的经济逆风行业下行周期,2024年存储市场起势,存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续,再到今年跃升主流的DDR5,和即将到来的DDR6、DDR7,DRAM技术还在持续突破。按照不
  • 关键字: 存储  DDR  HBM  
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存储介绍

存储   cún chǔ   (存存储储)   1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》:“户部奏部库空虚,应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》:“每年新漕进仓,仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储,将某仓存储某年米色数目,造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》:“《旧时代之死》之作者之家族,现颇窘,几个友人为之集款存储,作孩子读书之用。”   2.指积存的钱或物等 [ 查看详细 ]
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