全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块,具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on),采用行业标准封装2023 年 5 月 10日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、
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安森美 EliteSiC M3S
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动,传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组,成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势,因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行,同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低,需要管理的热耗散较少,还有利于使
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安森美 IGBT SiC
2023年5月8日——领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),将在2023年5月9日至11日于德国纽伦堡举行的领先的电力电子展览及会议PCIM欧洲,展示其最新的可持续电源的创新成果。 今年PCIM欧洲的主题是卓越领先的电力电子技术(Excelling in Power Electronics),安森美将在展会期间聚焦三个关键领域,共有五个演示区域、一个展示柜和一个专用电源墙: · &nb
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安森美 可持续电源方案 PCIM
机器人和协作机器人(cobots)应用的激增,使自动化的效率和安全性得以提高,是正在进行的第四次工业革命(I4.0)的一大驱动力。为了确保对终端任务的精确控制,如在装配线上拾取和放置物体或确保操作人员的安全,必须为每个旋转点提供准确的角度位置测量。事实上,机器人终端功能的精度归根结底受限于每个可动关节所能达到的累积精度。由于光学编码器可以提供高精确度,因此在工业应用中经常使用它们来提供旋转位置。然而,光学编码器价格昂贵,物料单(BOM)庞大,而且它们的性能会因为工业环境中常见的污染物和振动的存在而降低。另
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安森美 传感器
2023年5月4日—安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)公布其2023财年第1季度业绩,亮点如下:· 第1季度收入19.597亿美元,同比增长1%· 第1季度公认会计原则(以下简称“GAAP”)和非GAAP的毛利率为46.8% · GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为28.8%和32.2%·&
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安森美
2023 年 4 月 28日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON)宣布,已向海拉(HELLA)交付第10亿颗感应传感器接口集成电路(IC),海拉是一家国际汽车零部件供应商,也是佛瑞亚(FORVIA)集团旗下公司。这颗由安森美设计的IC被用于海拉的汽车线控系统非接触型感应位置传感器(CIPOS®)技术。在长达25年的合作中,两家公司开发的创新设计缩小了海拉模块和安森美IC的尺寸,以更好地适配对模块外形尺寸有着高要求的应用。 CIPOS®是一种感应技术,用
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安森美 海拉 感应传感器
2023 年 4 月 26日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON)和豪华智能纯电品牌极氪智能科技(ZEEKR)宣布双方签署长期供应协议(LTSA)。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅(SiC)功率器件,以提高其智能电动汽车(EV)的能效,从而提升性能,加快充电速度,延长续航里程。极氪将采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET,以配合其不断扩大的高性能纯电车型产品阵容,实现更强的电气和机械性能及可靠性。这些功率器件提供更高的
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安森美 极氪 碳化硅功率器件
之前我们介绍过快速设计由 NCP1623 驱动的 CrM/DCM PFC 级的关键步骤中的定义关键规格与功率级设计。本文将详细说明IC控制电路设计中的细节:FB引脚电路、VCTRL 引脚电路、CS/ZCD 引脚电路、CSZCD电阻器设计等内容。步骤 3:IC 控制电路设计如图 1 所示,反馈配置包括:● 一个电阻分压器,用于降低体电压,以向 FB 引脚提供反馈信号。出于安全考虑,分压器的上层电阻通常由两个或三个电阻构成。否则,RFB1 的任何意外短接都会将输出高电压施加到控制器上并将
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安森美 NCP1623A PFC
在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>1 000 V)。而IGBT 虽然可以在高压下使用,但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美,可实现在高压下的高频开关。然而,SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后,设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
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SiC MOSFET 栅极驱动 安森美
辅听耳机,音频市场下一个突破点?助听器无线化、智能化,安森美有什么绝招?5月26日至5月28日2023年北京国际听力学大会——云集芯片、器件、算法、整机算法的行业盛会锁定#B31展位听安森美为您娓娓道来话不多说,先来剧透一波安森美的硬核展品!智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi)拥有30多年的助听器芯片设计经验,是行业内领先的助听器芯片供应商,将在#B31展位展示一系列先进的专业数字助听器/OTC辅听方案,包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗蓝牙无线OTC
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北京国际听力学大会 安森美 听力方案
图像传感器的应用日益普及,特别是在安防、工业和汽车应用领域。很多汽车现在都配备了至少五个以上基于图像传感器的摄像头。但是,图像传感器技术不同于标准半导体技术,存在着一些错误认知。摩尔定律和图像传感器有些人假设著名的“摩尔定律”也适用于图像传感器。戈登·摩尔(Fairchild半导体公司的创始人,Fairchild半导体现在是安森美的一部分)指出,集成电路 (IC) 上的晶体管数量每两年增加一倍。为了将两倍数量的晶体管放置在单个器件上,缩小晶体管是主要实现方式。这种趋势已经持续了数十年,但近年晶体管数量增长
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安森美 图像传感器
本文介绍了快速设计由 NCP1623 驱动的 CrM/DCM PFC 级的关键步骤中的定义关键规格与功率级设计,并以实际的 100W 通用电源应用为例进行说明,IC控制电路设计将在后续的推文中分享。● 最大输出功率:100 W● Rms 线路电压范围:90 V - 264 V● 调节输出电压:● 低压为 250 V(115V 电源)● 高压为 390 V(230V 电源)NCP1623 具有多个选项,本文侧重于NCP1623A,它与其他版本的主要
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安森美 NCP1623A PFC
2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM),以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化,可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV),1700V NTH4L028N170M1
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贸泽 安森美 EliteSiC 碳化硅
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求,接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。Die Layout下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。图一芯片的表面一般是如图二所示,由源极焊盘(Source pad),栅极焊盘(Gate P
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碳化硅芯片 设计和制造 安森美
2023 年 4月 3日——智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON)宣布,公司入选《巴伦周刊》美国最具可持续发展力的100家公司榜单。《巴伦周刊》评估 1000 家大型上市公司在环境、社会和管治 (ESG) 方面的230项绩效指标,排名前 100 的公司将入选年度榜单。自 2018 年首次启动评选以来,安森美已连续六年上榜。安森美的入选彰显其在管理、执行和披露可持续发展及 ESG 目标方面的领导力,公司在其年度可持续发展报告中介绍相关指标及其进展情况,并根据全球报
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安森美 巴伦周刊 可持续发展力
安森美介绍
安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是计算机、通信、消费产品、汽车、医疗、工业和军事/航空等市场客户之首选高能效半导体技术供应商。公司广泛的产品系列包括电源管理、信号、逻辑、分立及定制器件。
公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务 [
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