以晶圆代工起家的台积电稍早前发布消息称，公司将在2017年量产10nm芯片，公司联席CEO刘德音近日又在公司会议宣布7nm芯片的生产将在2018年启动。公司董事长顾问蒋尚义对此解释，台积电目标就是要超越英特尔，成为全球技术最先进的芯片制造商。
近年来半导体业出现了一系列并购案，包括英特尔合并全球可程式逻辑晶片大厂之一Altera，英特尔并以15亿美元投资手机晶片大厂展讯母公司清华紫光，持股比达20%。Altera和展讯均为台积电先进制程的主要客户，如今被英特尔并购和入股，按照英特尔“
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台积电 10nm
半导体市场第2季需求明显趋缓，但国际半导体设备材料产业协会(SEMI)公布2015年4月份北美半导体设备订单及出货金额，却同步攀上近3年新高，其中 有2个主要原因，一是记忆体厂力拚20奈米DRAM制程微缩及3D NAND扩产;二是晶圆代工厂10奈米制程竞赛正式开打。
台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程已进入量产阶段，虽然进度上落后三星14奈米FinFET制程，但台积电信心满满，认为第3季产能快速拉升后，明年将可夺回14/16奈米FinFET制程市场占有率，且加计20奈米的市占率将在
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三星 10nm
稍早宣布更新的15寸MacBook Pro with Retina Display，确定仍维持使用Intel Haswell平台的第四代Core i7系列处理器，显示Intel确定选择在Computex 2015期间正式解禁高效能表现的Broadwell平台H系列处理器，以及两款高阶桌机版处理器。
另外就先前消息显示，Intel预期在今年下半年于美国IDF 2015期间揭晓采用14nm制程技术生产的Skylake平台处理器，分别将推出S系列、Y系列、U系列，以及H系列规格，藉此让新款处理器能在2
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Intel 10nm
完全没看出来ARM要往服务企业领域发展，还是在继续强化移动设备领域，听说ARM表示有相当信心维持领先地位同时也认为Intel即便加速追赶也无法造成明显威胁。
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ARM 10nm
分享外资透露，台积电共同执行长刘德音18日在美林论坛专题演讲中指出，物联网将是继移动设备之后，半导体产业的成长新机会。台积电先进制程也捎来喜讯，刘德音预估，2020年时10纳米制程占台积电总营收比重将达55%。
业界认为，物联网商机庞大，估计至2020年时，可创造约500亿颗芯片需求，台积电身为全球晶圆代工龙头，在物联网应用的成熟制程已取得制高点位置，加上台积电10纳米先进制程可望成为2020年营收主力，追赶英特尔，在成熟与先进制程同步大跃进带动下，台积电后市看俏。
刘德音受邀在美林论坛以
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台积电 10nm
外资圈17日传出，因台积电10纳米制程技术大幅提升，先前在14纳米制程琵琶别抱英特尔的阿尔特拉(Altera)，将在台积电与英特尔中择一作为10纳米合作伙伴。外资法人认为，阿尔特拉订单若重回台积电怀抱，将是继去年拿下苹果A8订单后的另一项利多题材，投资价值将进一步攀升。
台积电各制程成本节省幅度
外资回头买超台积电
受此利多消息，外资昨天又回头买超台积电8，139张，暂时化解“卖台积电、转买三星”的潜在危机，台积电昨天以2.05%涨
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台积电 10nm
10纳米级移动应用处理器(AP)战火一触即发，据传英特尔(Intel)继三星电子 (Samsung Electronics)之后，2015年将推出14纳米移动AP Cherry Trail，英特尔与三星电子的移动AP之争，势将对业界龙头高通(Qualcomm)产生威胁。
据Digital Times报导，日前业界传出消息，指出继应用14纳米制程技术的Broadwell中央处理器(CPU)后，2015年内英特尔将再推移动AP Cherry Trail，目前已开始为制造商供货，预定将在2015年中旬
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三星 10nm
晶圆代工龙头台积电(TSMC)透露该公司将在2017年开始量产10纳米制程，届时将能与英特尔(Intel)并驾齐驱;“我们的10纳米制程性能表现，包括速度、功率与密度，将会与我们认为英特尔为其10纳米技术所定义的规格相当;”台积电企业通讯部门总监Elizabeth Sun表示：“凭藉技术实力，我们认为能在10纳米节点拉近差距。”
而台积电首度 表示，今年预期将会有半导体产业界最大规模的资本支出，其目标是巩固其晶圆代工市场领导地位，以对抗英特尔、三星
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台积电 10nm
半导体技术可以说是人类社会发展速度最快的一项技术了，摩尔定律的魔力刺激着信息社会飞速发展，半导体的工艺制程现在已经迈入了惊人的14纳米级别，谁还能想像到50年前笨重的晶体管时代?
不过在半导体工艺进入14nm之后，芯片的发展速度有变慢的趋势。2014年，英特尔就在14纳米工艺处理器的发布时间上放了大家鸽子，采用14nm工艺的Broadwell原本2014年年中发布，但实际上到今年才会实现量产。半导体工艺在进入10nm级别后就已经逼近硅基半导体的物理极限，制造成本和风险都在不断提高，本来按照英特尔
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英特尔 10nm
如果认为英特尔推迟14nm，打破摩尔定律或者英特尔的节奏是个悲剧，那么这种看法才是真正的悲剧，因为摩尔定律本身是个总结性的现象，而非预测性的或者技术发展的本质规律。
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Intel 10nm
半导体工艺进入1xnm节点之后，各大巨头都遭遇了严重的困难，尤其是Intel 14nm出现了前所未有的延迟，与计划进度严重脱节，至今只有寥寥两个产品线，今年下半年才会全面普及。
台积电16nm原本寄予厚望，2015年初就要快速量产，结果连续跳票，现在看最快也得年底了，甚至得2016年。
三星14nm相对还好一些，起步虽晚但是进步很快，据说良品率提高很快，又拉上Global Foundries做同盟，已经赢得了苹果、高通的芳心。
如果按照原先的Tick-Tock发展模式，后续进展顺利的
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英特尔 10nm 台积电
在工艺技术上，Intel一直保持着遥遥领先的节奏。现在，10nm已经来了。
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Intel 10nm
在宣布将以16nm FinFET制程技术量产ARM 64位处理器后，台积电再进一步与ARM携手宣布，未来将透过10nm FinFET制程技术制作64位架构ARMv8-A处理器 ，预计最快在2015年第四季启用此项技术，届时将可支持各客户采用10nm FinFET制程技术完成64位ARM架构处理器的设计定案。
进一步缩减制程技术后，预期将使相同架构处理器产品能以更少电功耗发挥更高的运作效能，或是更进一步缩减硬件产品体积、散热所需空间等特性。
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ARM 10nm
半导体进入10奈米以下技术节点或三维(3D)结构时，将面临严重的导孔偏移问题，所幸，设备商已研发出具备更高影像解析能力的微距量测扫描式电子显微镜(CD-SEM)，可提供更清晰的对焦和更精细的量测影像，有效克服导孔对准挑战。
多年来，业界一直使用微距量测扫描式电子显微镜(CD-SEM)来进行量测，此种显微镜会射出电子束，与要扫描的材料作用，然后回传讯号，再由量测机台比对运算这些讯号。今日，针对小于10奈米(nm)的尺寸，CD-SEM或其他所有量测设备，必须处理更多的薄膜层、更高的纵横比(HAR
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10nm 半导体
随着晶体管向10nm、7nm甚至更小尺寸的发展，半导体行业面临着真正的材料选择困扰。基板、沟道、栅和接触材料都迫切需要评估。
“在14nm,10nm工艺时代，器件架构是确定的。”Intermolecular有限公司半导体部门高级副总裁兼总经理RajJammy表示，“大多数情况下采用FinFET架构，当然也有其它选项，如完全耗尽型绝缘硅(SOI)。”
对于10nm和7nm来说，Jammy认为高K值金属栅将占主导地位，但真正的挑战将是沟道
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半导体材料 10nm
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