- 2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。
SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发，包括Fab 5晶圆厂上线投产，以及(10nm级别)和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。”
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SanDisk 10nm 闪存
- “硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。
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CMOS 10nm
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