受访人：亚德诺半导体 大规模数据中心、企业服务器和5G电信基站、电动汽车充电站、新能源等基础设施的广泛部署使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。近年来，以氮化镓(GaN)和碳化硅（SiC）晶体管为代表的第三代功率器件已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。新型和未来的SiC/GaN功率开关将会给方方面面带来巨大进步，其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧凑、更具成本效益的功率应用。好马
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202207 ADI 第三代半导体 IC 功率器件
IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨询报告显示，在供需失衡、库存高涨的状况下，预计第三季度驱动 IC 的价格降幅将扩大至 8%-10% 不等，且不排除将一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨询进一步表示，中国面板驱动 IC 供货商为了巩固供货动能，更愿意配合面板厂的要求，价格降幅可达到 10%-15%。报告指出，在需求短期间难以好转下，面板驱动 IC 价格不排除将持续下跌，且有极大可能会比预估的时间更早回到 2019 年的起涨点。此外，TrendFor
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IC TrendForce 市场
可靠的电压监控器IC始终是工业界的行业需求，因为它可以提高系统可靠性，并在电压瞬变和电源故障时提升系统性能。半导体制造商也在不断提高电压监控器IC的性能。监控器IC需要一个称为上电复位（VPOR）的最低电压来生成明确或可靠的复位信号，而在该最低电源电压到来之前，复位信号的状态是不确定的。一般来说，我们将其称之为复位毛刺。复位引脚主要有两种不同的拓扑结构，即开漏和推挽（图1），两种拓扑结构都使用NMOS作为下拉MOSFET。图1. 复位拓扑的开漏配置和推挽配置图2. 复位电压如何与上拉电压（VPULLUP）
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ADI IC
近日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 ：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
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长江存储 3D NAND
这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
集成电路是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是世界主要国家和地区抢占工业经济制高点的必争领域。为了进一步鼓励我国具有市场竞争实力和投资价值的集成电路企业健康快速发展，进一步总结企业发展的成功模式，挖掘我国集成电路领域的优秀创新企业，对优秀企业进行系统化估值，提升企业的国际和国内影响力。在连续成功举办四届遴选活动的基础上，由赛迪顾问股份有限公司、北京芯合汇科技有限公司联合主办的2021-2022（第五届）中国IC独角兽遴选活动历时两个月，收到企业自荐及机构推荐
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IC 独角兽
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
随着全球通膨疑虑升高及能源成本飙升，加上大陆因疫情实施封控，以及俄乌战争悬而未决，经济逆风对今年全球经济成长将造成挑战，但包括Gartner及IC Insights等市调机构仍预估，今年全球半导体市场仍会较去年成长一成以上。IC Insights表示，今年全球半导体总销售额仍可年增11％，与今年初预测相同，但外在变化造成的不确定性，导致芯片销售成长幅度或有消长。其中，微处理器及功率分离式组件销售将高于先前预期，包括嵌入式处理器及手机应用处理器成长强劲，功率组件价格续涨且成长幅度增加，至于CMOS影像传感器
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Gartner IC Insights 半导体市场
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
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