- 常用的功率元器件有哪些？电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。1. MCT （MOS Con
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- 纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。NSD2621产品特性： 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03.&n
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纳芯微 GaN
- 功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变（直流转换成交流）、整流（交流转换成直流）、斩波（直流升降压）、变频（交流之间转换）是基本的电能转换方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽车是功率器件增量需求主要来源01 下游应用领域广泛，新能源汽车为主作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，根据每个细分领域性能要求
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- 目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距，主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进，这些都会得到解决。同时SiC由于开关速度比较快，衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来，随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富，SiC的使用也会趋于成熟。接下来，安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛将和您聊聊关于未来SiC在新能源汽车上的普及及应用。
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- 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►产品实体图►方案方块图►核心技术优
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安森美 NCP1342 PD QR 高频率 GaN
- 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►展示板照片►方案方块图►核心技术优
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- 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
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- 对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环，测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。如何能够高效地完成测试是工程师一直关注的，也是在选择功率器件动态参数测试系统时需要着重关注的，一个高效的测试系统能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。接下来我们将为大家介绍提高功率器件动态参数测试效率的7个方法，希望能对大家的工作有所帮助。方法1：测试单元模块化功率器件动态参数测试系统往往需要具备多种测试功能、覆盖多种电压等级的被测器件，此时就需要对测试
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功率器件 动态参数测试
- 【2022年11月24日，德国慕尼黑讯】USB供电（USB-PD）已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中，扩展功率范围（EPR）规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
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英飞凌 PFC和混合反激式组合IC GaN USB-C EPR适配器
- 此电源设计最大输出功率为65W，配备1A1C双口输出，单USB-C口输出65W（20V/3.25A），单USB-A口输出；双口同时输出时，C+A同降为5V方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm！上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好！通标变压器设计，21V效率最高达到93%,驱动与MOS均采用美国安森美半导体技术！►场景应用图►展示板照片►方案方块图►C口支持协议►核心技术优势1.51.5*51.5*31 超小体积 功率密度：1.26cm³/W2. QR架构，COST
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- 【2022年10月26日，德国慕尼黑讯】当前的能源危机充分表明，全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司（Bloom Energy）选中，用于其燃料电池产品布鲁姆能源服务器（Bloom’s Energy Server）以及布鲁姆电解系统（Bloom Electrolyzer）中的功率变换。 布鲁姆能源
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- 10月24日，士兰微发布公告称，近期，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示，公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。据了解，2017年12月1
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- 据外媒《NBC》报道，近日，晶圆代工厂商格芯（GlobalFoundries）获得3000万美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片将比前几代芯片能更好地处理高热量和电力需求。Caulfield在一份声
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- EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计，增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩，同时简化设计。该逆变器尺寸极小，可集成到电机外壳中，从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器，采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC，内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作，可提供高达28 Apk(2
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- 现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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