- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块，其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现AS
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Power Integrations IGBT SiC 模块驱动器 SCALE EV PI
- IGBT作为功率设备的核心器件，在电力电子工业领域应用广泛。为了进一步了解电压应力对IGBT模块的影响，本文搭建了实验样机（选用3代IGBT采用T型三电平拓扑，额定输出线电压315 V，电流230 A，设计输入电压范围500～1 000 V），通过单脉冲试验对不同厂家不同型号的IGBT进行电压应力分析并给出解决方案的可行性。
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IGBT 单脉冲 电压应力 202203
- 长期进行IGBT器件焊接封装发现，IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大，本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装，通过实验对比两批产品的空洞率，结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小，从而提高了IGBT器件的可靠性。
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IGBT 焊接 封装 空洞率 子单元 202201
- 搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
- 搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
- 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
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主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 202108 MOSFET
- 如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统，以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。此外，电力电
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MOSFET MCU IGBT
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但出于设计周期的考量，它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较
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MOSFET IGBT
- 1 中小功率市场，IPM开始流行随着物联网的普及及用户体验的提升，需要产品有更长的待机时间或工作时间，这无疑会增加电能的消耗，这就要求功率转换产品的效率越来越高；与此同时，新产品的开发周期越来越短，需要快速的电源设计。因此，适合高效率且低功耗的、模块化的智能功率模块（IPM）开始普及。IPM 不同于普通的功率模块。普通功率模块是把需要用到的功率器件集成在一个封装里。对于应用工程师，还需要匹配驱动等外围电路。IPM 不仅把功率器件集成进去了，还把驱动电路以及周边的保护电路全部集成到了
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202106 智能功率模块 IPM
- 摘要随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电应用也是方兴未艾，越来越多的应用领域要求有源前端电力变换器具有双向电流变换功能。本文在典型的三相电力应用中分析了SiC功率MOSFET在高频PFC变换器中的应用表现，证明碳化硅电力解决方案的优势，例如，将三相两电平全桥(B6)变换器和NPC2三电平(3L-TType)变换器作为研究案例，并与硅功率半导体进行了输出功率和开关频率比较。前言随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电
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MOSFET IGBT
- 温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管)，但其他方法也可以用来监控温度。半导体硅PTC热敏电阻可以很好进行电流控制，或铂基或铌基(RTD)电阻温度检测器可以用较低阻值，达到更高的检测线性度。无论传感器采用表面贴装器件、引线键合裸片还是烧结裸片，NTC热敏电阻仍是灵敏度优异，用途广泛的温度传感器。只要设计得当，可确保模块正确降额，并最终在过热或外部温度过高的情况下关断模块。本文以键合NTC裸片为重点，采用模拟电路仿真的方法说明功率模
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IGBT MOSFET
- 用于消防控制系统的集中供电电源应具备不间断供电的特性，能够进行电池充电及智能显示。本文通过半桥拓扑设计主电电路，以STM8S003F3P作为电源的控制单片机，使用继电器控制电路实现主备电无缝切换，使用电池充电电路对蓄电池进行智能充电管理，最后搭建实际电路进行验证。验证结果表明：设计的集中供电电源输出性能指标较高，且能够实现不间断供电及电池充电功能，满足消防控制系统供电要求。
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集中供电电源 半桥拓扑 充电管理 智能 202104 MOSFET IGBT
- 2018年比亚迪半导体在宁波发布了IGBT4.0芯片，树立了国内车规级中高端IGBT芯片标杆。历时两年积累沉淀，比亚迪半导体即将在西安新研发中心发布更高性能的IGBT6.0。西安高新区已经汇聚了华为、浪潮、三星等一大批知名企业，随着西安研发中心大楼的落成，也标志着比亚迪半导体正式入驻中国“西部硅谷”。2008年比亚迪1.7亿元收购了宁波中纬。中纬账面上最有价值的东西是源自台积电淘汰的一条8英寸晶圆线，但这笔收购给还给比亚迪带来了晶圆车间、技术团队等资源。当时长三角地区是中国半导体制造的重要基地。彼时这些资
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比亚迪 IGBT
- 1 低碳时代驱动功率转换的变革当前，世界各国以全球协约的方式减排温室气体，我国也提出了碳达峰和碳中和的目标，这对电子产品的降低能耗提出了巨大挑战。因为随着物联网的普及，产品需要有更长的待机时间；由于产品的性能提高和功能丰富，也会增加工作能耗。这就需要功率转换元器件和模块的效率进一步提升，因此，近年来IPM（智能功率器件）开始盛行。2 适合小功率电机的IPM IPM的优势是高效率、低功耗、模块化。以空调市场为例，全球空调市场的出货量这两年约1.5亿台
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IPM IGBT
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