新型单元是一种用于嵌入式系统的下一代微控制器片上非易失存储器的颇具前途的解决方案,它可以在1.5V电源电压条件下进行编程,且只需100μA的编程电流。 日立有限公司与瑞萨科技公司近日发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在
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MOS 日立 瑞萨 存储器
1994年6月,我国“七五”电子工业的头号工程———无锡微电子工程在中国华晶电子集团公司全面通过国家验收。该工程的重点2微米、3微米MOS超大规模集成电路生产线正式建成投产,代表了我国当时微电子工业大生产的最高水平。
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华晶电子 集成电路 MOS
mos介绍
MOS
金属氧化物半导体
MOS
metal-oxide semiconductor
以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说,绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。
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