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SK海力士90亿美元接盘英特尔NAND业务,存储芯片格局或生变

  • 半导体并购再起。2020年以来,半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM,AMD洽谈收购赛灵思,半导体领域接连出现重大变数,金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过,英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星在20
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  存储芯片  

研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%

  • 据国外媒体报道,研究机构预计,销售额在去年大幅下滑的NAND闪存,在今年将大幅增长,同比增长率将达到27.2%,销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看,在集成电路的33个产品类别中,NAND闪存今年销售额的同比增长率,将是最高的,是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言,NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场,仅次于DRAM,后者的销售额预计为645.55亿美元,较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中,在全球集成电路市场,NAND闪存今年的销售额将占到15.2%,仅次于
  • 关键字: NAND  闪存  

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

  • 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力,能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷,从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间(包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片)。eSL10的研发是始于最基本的构架,针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术,可提供高分辨率,高速检测功能,这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示:“利用单一的高能量电子
  • 关键字: DRAM  NAND  

游戏新机上市填补云端需求空缺 三季度NAND Flash价格波动有限

  • 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查,尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降,但云端服务、远距教学的需求也同步催生,加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货,促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言,目前需求以SSD占最大宗,与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出,当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻,初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变,首次转进SSD的
  • 关键字: NAND Flash  

三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

  • 据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始,预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。上月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条
  • 关键字: 三星  NAND  闪存  

集邦咨询:数据中心需求大增,NAND Flash营收成长8.3%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道,第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外,自年初起,各供应商当时的库存水位多已恢复至正常,也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情,根据集邦咨询当时的调查,服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机,也因此对于数据中心需求
  • 关键字: NAND  三星  intel  

集邦咨询:数据中心需求大增,第一季NAND Flash营收成长8.3%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。
  • 关键字: 集邦咨询  数据中心  NAND Flash  

英特尔最新发展蓝图:明年或全面转向144层堆叠NAND

  • 处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步,开始有了新的进度。根据外媒报导,英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图,在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下,作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
  • 关键字: 英特尔  144层  NAND  

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

  • 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升,不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能,更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC),在2016年加入NAND Flash设计生产后,也为市场添增了一股活力。
  • 关键字: 群联  控制芯片  长江存储3D NAND  

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

  • 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升,不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能,更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC),在2016年加入NAND Flash设计生产后,也为市场添增了一股活力。
  • 关键字: 群联  3D NAND  长江存储  

长江存储:128层3D NAND技术会按计划在今年推出

  • 据证券时报消息,长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示,128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候,长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示,接下来,长江存储将跳过如今业界常见的96层,直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到,长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

集邦咨询:受新冠肺炎疫情扩大冲击,NAND Flash均价可能提前于下半年反转向下

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,虽然新冠肺炎疫情延烧,使得2020年第一季的终端产品出货动能格外疲弱,但在NAND Flash领域,因为2020年全年供给位元产出年成长收敛至三成,加上各大供应商资本支出保守,第一季NAND Flash均价在淡季仍上涨约5%。
  • 关键字: 集邦咨询  新冠肺炎  NAND Flash  

华邦电进军车用、工业领域

  • 存储器大厂华邦电近日宣布,开发出业界首款新型高速Octal NAND Flash产品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成为当前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解决NOR Flash容量愈大、成本愈高问题。华邦电表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上储存容量级别,提供车用与工业应用领域稳健可靠的储存存储器。
  • 关键字: 华邦电  NAND Flash  车用与工业应用领域  

存储器行业的冰与火之歌:凛冬是否已经结束 ?

  • 据IDC预测,2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量,如此惊人而又庞大的数据量,半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种,具体类型如下:“凛冬将至”:这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人,SK海力士、美光的营收规模均成长近8成,而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说,2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%,达4197.2亿美元,存储器的
  • 关键字: 存储器、NAND、DRAM  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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