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SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地

  • 自SK海力士官网获悉,4月24日,SK海力士宣布,为应对AI半导体需求的急剧增长,计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示,若理事会批准该计划,三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地,并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设,目标是在2025年11月完工,并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加,新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。(图源:SK海力士官网)SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称,M15X将成
  • 关键字: SK海力士  AI  DRAM  

存储大厂技术之争愈演愈烈

  • AI、大数据等应用催生海量存储数据需求,也对存储技术提出了更高要求,这一背景下,存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面,大厂聚焦层数突破。近期,韩媒报道,三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存,该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存,即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构,层数将达到290层。另据业界预测,三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层,届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来,三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
  • 关键字: 存储器  DRAM  TrendForce  

美光:预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告,预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告,地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙,设施、基建和生产工具未遭受永久性损害,长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时,美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产,但得
  • 关键字: DRAM  闪存  美光  

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM 内存很火,它相对于传统 DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着 AI 应用需求的发展,HBM 的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字: 3D DRAM  

加注西安工厂 美光期待引领创芯长安

  • 怎么证明企业对某个市场的未来充满信心?频繁来华喊口号还是推定制芯片?一边提升销售预期一边减少研发团队?或者是缩减产能加大宣传力度?商业行为还真是要靠真金白银才能体现诚意,对中国市场最有信心的表示当然是加大中国市场的投资力度。 3月27日,美光科技举办了新厂房动工奠基仪式,宣告2023年6月公布的美光西安工厂价值43亿元人民币的扩建工程正式破土动工,该项目是2020年以来国外半导体企业在国内最大的工厂投资建设工程。据悉,这个项目除了加建新厂房,还会引入全新产线,制造更广泛的产品解决方案,例如移动DRAM、N
  • 关键字: 美光  DRAM  

三星否认将 MR-MUF 堆叠方案引入 HBM 生产,称现有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息,据韩媒 NEWSIS 报道,三星电子否认了近日路透社的说法,表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成,目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充间隙;而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜,是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜(NCF)的热压键合方式。随着 HBM
  • 关键字: 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  

又一存储大厂DRAM考虑采用MUF技术

  • 韩国媒体 TheElec报道,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术,与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉,MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论,MUF 不适用于高频宽存储器 (HBM),但非常适合 3DS RDIMM,而目前 3DS RD
  • 关键字: 存储  DRAM  MUF技术  

三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,满足人工智能时代的更高要求

  • 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。                                                      &n
  • 关键字: 三星  HBM3E  DRAM  人工智能  

千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字: 3D DRAM  存储  

美光内存与存储是实现数字孪生的理想之选

  • 据 IDC 预测,从 2021 年到 2027 年,作为数字孪生的新型物理资产和流程建模的数量将从 5% 增加到 60%。尽管将资产行为中的关键要素数字化并非一种全新概念,但数字孪生技术从精确传感到实时计算,再到将海量数据转为深度洞察,从多方面进一步推动了设备和运营系统优化,从而实现扩大规模并缩短产品上市时间。此外,启用人工智能/机器学习 (AI/ML) 模型将有助于提高流程效率、减少产品缺陷,实现出色的整体设备效率 (OEE)。当我们了解了上述需求的复杂性和面临的挑战,就能意识到内存与存储对于实现数字孪
  • 关键字: 数字孪生  DRAM  机器学习  

三星新设内存研发机构:建立下一代3D DRAM技术优势

  • 三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发(R&D)机构,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部(DSA)的硅谷总部之下运营,由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来,三星在随后的30年里,一直是全球最大的DRAM制造商,市场份额要明显高于其他厂商,但仍需要不断开发新的技术、新的产品,以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
  • 关键字: 三星  内存  DRAM  芯片  美光  

存储器厂忧DRAM涨势受阻

  • 韩国存储器大厂SK海力士透露,因市况好转,考虑在第一季增产部分特殊DRAM,市场担心稼动率回升,破坏以往存储器大厂减产提价共识,恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价,包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等,股价跌幅逾2%,表现较大盘弱势。惟业界人士认为,包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能,多往1-alpha/beta先进制程升级,以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器(HBM)需求,预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
  • 关键字: 存储器  DRAM  TrendForce  

涨势延续,预估2024年第一季DRAM合约价季涨幅13~18%

  • TrendForce集邦咨询表示,2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%,其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原厂认为持续性减产仍有其必要,以维持存储器产业的供需平衡。PC DRAM方面,由于DDR5订单需求尚未被满足,同时买方预期DDR4价格会持续上涨,带动买方拉货动能延续,然受到机种逐渐升级至DDR5影响,对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过,由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标,加上买方仍可接受第一季续涨,故预估整体PC
  • 关键字: 存储厂商  DRAM  TrendForce  

SSD九个季度以来首次上涨 厂商们要持续涨价:涨幅55%只是开始

  • 1月1日消息,据供应链最新消息称,SSD产品九个季度以来首次上涨,而厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价。数据显示,2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元,皆较前一季度(2023年7-9月)上涨9%,也都是九个季度以来(2021年7-9月以来)首度上涨。自2023下半年以来,存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和,约20%,但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。调研机构TrendFo
  • 关键字: SSD  涨价  DRAM  

全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长

  • 12月22日消息,据报道,Adroit Market Research预计,全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长,到2032年将达到1530亿美元,2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示,半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B,复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明,到2022年,每辆汽车的半导体器件价值约为540美元,在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下,到2028年,该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
  • 关键字: 汽车电子  半导体  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  
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dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

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