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日本电子信息领域技术战略地图(二)存储记忆体子领域

作者:时间:2011-03-21来源:上海科学技术情报研究所 宋凯 收藏

  一、日本存储记忆体技术战略地图制定背景

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/117890.htm

  日本推出存储记忆体技术战略是基于这样一种背景之下:一方面随着INTERNET逐步向高速化发展,大容量视频图像传输的需求也在增加,相应的大容量存储器成为必要设备。另一方面消费电子设备,如数码相机、媒体播放器、手机等的多功能化、小型化的发展趋势,使得这些设备所需的存储记忆体也朝着大容量、低耗电的方向发展,已出现了能存储几十倍容量的服务器和移动设备。此外电子设备的瞬时启动和更长的工作时间也是未来的热点需求。因此存储记忆体技术是高效的信息处理不可欠缺的技术之一。

  日本在存储体记忆技术领域的研发是围绕大容量、高速化、节能三方面展开的。这也是这次存储记忆体技术战略的重要思考。目前已有的研究项目如下:

  在存储领域内,磁性存储与光学存储是重点,两者都已提高存储密度为目的。在“促进高先进电子技术开发项目”(1996~2001年)中,研发垂直磁性记录方式,以提高硬盘存储密度。“纳米光控的开发”(1998~2002年)中部分研究成果,已经应用在蓝光光盘系统的开发中。

  在内存方面,过去重点是磁阻内存(MRAM)研究,而现在重点是“自旋内存”,在“自旋电子学非易失性性能项目”中,利用电子的自转,将全新的原理应用到内存技术当中,推进着自旋内存的研发。

  在未来内存技术方面,重点是纳米槽内存,对应的项目是从2007年开始的纳米电子学的研发项目。

  在绿色节能方面,从2008年开始了“绿色IT计划”,着手低耗电硬盘等技术研发。

  二、日本存储记忆体技术战略地图研究领域

  1、存储记忆体设备 

项目
研发技术
主要的性能目的
磁性存储
(HDD)
媒介技术(模式媒介、热辅助对应媒介)
大容量、节能
记录头技术(热辅助技术、微型加工技术)
大容量、节能
 
再生头技术(TMR、CPP-GMR、自旋电子学应用)
大容量、节能
光学存储
高数据运送加速技术(并行处理)
节能
比特微型化技术(超级镜片、SIL)
大容量、节能
三维记录技术(全息图、2光子吸收)
大容量、节能
FLASH
(NAND型、NOR型)
低纵横比单元(纳米点、TANOS)
大容量
多值化技术(低单元间干扰、铁电体门绝缘膜)
大容量
多层化技术(3D、BiCS)
大容量
FeRAM
新存储单元构成技术(链型、1T型、三维电容)
大容量
材料技术(新铁电材料)
大容量
MRAM
大容量化技术(磁感应型、自旋注入型、垂直磁化型)
大容量
高速读取技术(高功率、材料)
高速化
写入技术(倒自旋注入、磁壁移动)
高速化、节能
存储单元构成技术(高速、多层次、多值、交叉点、逻辑回路)
大容量、高速化
PRAM
材料技术(新型相变材料 )
大容量、高速化
多值技术
大容量
3维(3D )
大容量

 
2、新设备

项目
研发技术
主要的性能目的
ReRAM
大容量化技术
大容量
材料技术
大容量
机构解明
大容量
PMC-RAM
(原子开关、纳米桥内存等)
重写数增加技术
节能
低耗电技术
节能
卡片型全息图内存
波导型(材料、构造、记录方式)
大容量
体积记录型(材料、构造、记录方式)
大容量
MEMS探针内存
拓扑记录法
大容量
铁电/铁磁系统
大容量
磁壁移动固体内存
自旋电子学技术
大容量
高集成化技术
大容量
有机内存
材料技术
节能
分子内存
大容量技术、低耗电技术
大容量、节能
纳米管内存
微型处理器技术
大容量、高速化



关键词: 电子信息 半导体

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