半导体厂扩产 力成进补

　　不让韩国三星专美于前，日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元)，于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂，导入最新16至17纳米制程，使总产能提升20%，明年4月量产，为在台后段封测厂力成(6239)营运挹注成长动能。

　　这是三星在上月宣布调高今年半导体资本支出后，东芝近两年来首度做出增产决定，因为苹果中低价手机和大陆手机的强劲需求。

　　研究机构统计，去年全球NAND Flash出货量，三星居全球之冠，市占率37%;东芝排名第二，市占率31%。据了解，受惠日圆贬值，以及苹果和大陆品牌下单量攀升，加上先前调节性减产，让东芝NAND Flash已无法满足市场需求，决定7月起开始增产。

　　稍早东芝表示，为确保NAND Flash次世代制程产品及3D存储器的生产空间，将于旗下位于三重县四日市第三座12寸NAND Flash厂「Fab 5」的第二期工程兴建新厂，8月底动工兴建，2014年夏天完工，但新厂工程的设备导入时间、量产时间、产能及生产计划等细节，将视市场动向决定。

　　东芝的Fab 5第一期工程厂房由东芝投资兴建，包括东芝和美商新帝(SanDisk)合资的NAND Flash生产线。随着三星决定加码扩产，将今年资本支出上修至24兆韩元，其中13兆韩元用于强化DRAM、NAND Flash及逻辑IC竞争力，让东芝和晟碟决定加快建厂脚步。