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2014年全球半导体资本支出

作者:时间:2014-03-26来源:DIGITIMES收藏

  根据市调机构ICInsights统计,2014年全球厂资本支出上看622亿美元,年增率约8%,前三大资本支出最高的业者分别为、英特尔和台积电,3者资本支出分别为115亿美元、110亿美元和100亿美元,贡献今年产业资本支出约51.8%。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/235322.htm

  2014年全球产业资本支出攀升,主要是受惠行动装置商机推动,对于智慧型手机平板电脑、物联网(IoT)相关晶片需求提升,带动全球半导体厂竞相扩充产能。主要集中在先进制程技术如20/16/14奈米制程、3DNAND制程技术等。

  2014年资本支出攀升比率最高的是快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)较2013年成长86%,达16亿美元,主要是与东芝(Toshiba)合资扩建3DNAND晶圆厂投资增加,预计2014年下半进入量产;美光2014年资本支出也相当强劲,年增率约58%。



关键词: 三星电子 半导体

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