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FRAM存储“多、快、省”

作者:时间:2015-03-09来源:电子产品世界收藏

  近日,半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇介绍了(铁电存储器)产品在应用中的独特优势。拥有15年量产经验的半导体,用“多、快、省”形象地概括出的特点。“多”指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点,可以频繁记录操作历史和系统状态;“快”指的是FRAM的高速烧写(是的40000倍)特性,这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;“省”是FRAM超低功耗(是的1/1,000)特性,特别是写入时无需升压。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/270708.htm

  因此,采用串行接口的FRAM可以替代或串行闪存,而采用并行接口的FRAM产品可以代替低功耗SRAM或PSRAM (Pseudo SRAM)。在封装方面,目前FRAM基本可以直接替换EEPROM,FRAM的封装和EEPROM的封装是完全兼容的。

  由于掌握着从FRAM的研发、设计到量产及封装的整个流程,加上多年的经验,半导体因而能保证FRAM产品的品质和稳定供货,并且产品线相当宽泛,容量从4Kb到4Mb,涵盖SPI和I2C串行接口、并行接口。现在该公司已经在着手研发8Mb、16Mb的产品。

  另悉,富士通半导体的FRAM最开始是以日本国内应用为主,后来逐渐拓展至医疗、智能仪表、工业自动化设备等多元化应用领域。现在,该公司的FRAM主要包括三大类(单体FRAM、RFID和内嵌FRAM的认证芯片),在很多领域实现了批量应用。

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关键词: 富士通 FRAM EEPROM 201503

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