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10纳米碳纳米管CMOS器件面世

作者:时间:2015-05-15来源:中化新网 收藏

  近日,在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下,北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米互补金属氧化物半导体()器件。与同尺寸硅基器件相比,该器件速度是其5倍,而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的集成电路。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/274235.htm

  下一步,该团队将继续优化器件制备工艺,建立标准的碳基器件技术加工平台,并基于该平台开发碳纳米管CPU,最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。



关键词: 碳纳米管 CMOS

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