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通信系统的供电架构(04-100)

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作者:时间:2008-04-09来源:收藏


 

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/81405.htm

  非隔离降压拓扑

  降压是构成大多数开关架构基础的基本拓扑。它是最通用的拓扑,在分布电源系统中会用到这种拓扑,因为必须变换高dc电压(48V)到较低的电压,而且功耗小。开关是一个功率晶体管(通常是MOSFET),其栅极由执行脉宽调制(PWM)的IC驱动它控制占空比(晶体管的开关时间),从而控制输出电压大小。图6示出非隔离降压拓扑。

  降压特性为:

  ·无隔离地

  ·只降电压

  ·只有单输出

  ·非常高的效率

  ·低输出纹波电流

  ·高输入纹波电流

  ·需要高端栅极驱动

  ·大占空比范围

  ·宽稳压范围

  低功率拓扑

  单晶体管拓扑(图7),如降压、升压、正激、反激是在分布系统(高达100W)中设计用于相当低功率负载的dc-dc变换器。降压和升压电路是非隔离的,而正激和反激变换器提供变压器隔离。

  大功率拓扑

  推挽、半桥和全桥dc—dc变换器是隔离开关拓扑,与单晶体管类型相比这种拓扑能提供更大功率输出。2晶体管拓扑的优点是用同样大小的变压器它所提供的功率是单晶体管类型的2倍。桥拓扑中的晶体管仅注意一半或正激(或推挽)配置中较小电压承载。所以,晶体管电压额定值为其他拓扑所需值的几分之一。半桥和全桥变换器往往用于离线应用中,工作具有非常高的400V dc输入电压(来自整流和功率因数校正的ac输入线电压)。

  正激和反激变换器也用于较低功率(小于100W)的离线应用中。不像正激和反激变换器那样,桥变换器在高达1500W的大功率dc—dc应用中可提供高效率,推挽变换器在低输入电压特别有效,它可产生多输出电压,其中一些输出电压,可以是相反极性。■(京湘)


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