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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI 

作者:时间:2008-08-11来源:电子产品世界收藏

   公司日前宣布开发出GBDriver RA8系列,该产品计划于九月份开始销售。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/86776.htm

  GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速IC,与2K字节/页和4K字节/页的兼容。该支持单级单元 (SLC) 和多级单元(MLC) NAND ,实现了从128M字节到1 G字节(SLC) 和256M字节到32G字节(MLC)的高速闪存存储容量,因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外,该控制器具有128 针TQPF 封装方式和121 针VFBGA封装方式。

  该控制器实现了高速控制、采用15位纠错码(ECC)、GBDriver系列共有的自动恢复功能以及断电时的并行错误预防功能,这些设计提高了NAND闪存的数据可靠性。

  此外,GBDriver RA8系列采用了一种新式独创的静态耗损均衡算法(static wear leveling algorithm),使每个存储块的重写次数更加平均,这样就最大程度地延长了NAND闪存的擦写寿命。闪存管理功能包括改进的设定每个存储块擦写次数的“智能功能”(SMART),并对量化评估、管理及NAND存储系统进行了简化。

  将于2008年10月发售配备了新型GBDriver RA8控制器的工业小型闪存卡和固态驱动器(SDD)。

  主要用途

  主要用于民用、工业用嵌入式系统设备及 IT 设备,例如:数码相机、便携摄像机、数字电视、机顶盒(STB)、多功能打印机、车载导航系统、便携式导航设备 (PND)、车载音响、电子收费(ETC)终端、销售点(POS)终端、 金融业务终端与ATM机、医疗设备、测量仪器、机械工具、工厂自动面板计算机及触摸屏系统。

  主要特性

  1. 主机接口:GBDriver RA8与PIO0-6、Multiword DMA 0-4及Ultra DMA0-6兼容,支持高达50 MB/秒的读访问速度和35 MB/秒的写访问速度(采用MLC 时为15 MB/秒)。(*实际速度取决于安装的闪存)

  2. 支持的闪存:GBDriver RA8控制器支持所有厂商最新的2 K字节/页和4 K字节/页结构的NAND闪存及其最新产品。由于这些产品都与SLC和MLC NAND闪存兼容,该控制器实现了从128M字节到16G字节(SLC)和256M字节到32G字节(MLC)的存储容量。

  3. 适用于所有存储块的静态耗损均衡功能:新的静态耗损均衡算法使每个存储块的擦写次数更加平均。可将静态耗损均衡设为任意范围,超出静态耗损均衡的区域按动态耗损均衡管理。

  4. 改进的断电耐受性:在写数据时如发生断电,独创的算法可全面预防并行错误,不让错乱的数据写入。

  5. 纠错和恢复:闪存鉴别功能采用8位/段ECC或15位/段ECC来提供纠错能力,为适应未来的发展预留了空间。自动恢复功能包括在重复读取数据时自动纠正位错误(读干扰错误)。

  6. 其他功能:

  (a) 总簇数量设置功能可调高或调低分配给数据区的逻辑块数量。例如,可通过减少数据区逻辑块的数量来提高可写入数据的次数。反之,如果应用不要求长寿命,可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。

  (b) 保护功能采用ATA标准保护功能,使用户能够设置和取消密码以保护重要数据。

  (c) “智能命令”支持可通过“智能命令”设定所有内存块的擦写次数,便于确定闪存状态和相关管理。

  7. 解决方案支持自2000年开始自主研发和销售GBDriver系列NAND闪存控制器,依托其先进技术为日本和国外客户提供技术支持,包括派遣现场应用工程师和实施可靠性监控工作,嵌入式系统市场对此有强烈需求。

  生产销售计划

  —生产地点: 日本—生产能力: 100,000单元/月(预计)

  —样品出货: 2008年9 月



关键词: TDK NAND 闪存 控制器 LSI

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