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安森美半导体推出8款新器件用于消费和工业应用

作者:时间:2008-11-14来源:电子产品世界收藏

  2008年11月13日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出8款新的器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA),的新器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/89511.htm

  这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET,提供较低的导通阻抗(RDS(on)),将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比,降低传导和开关损耗。所有这些性能特性,使电源子系统能效更高。

  MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“这些新的中等电压器件,壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案,满足我们消费和工业应用的扩大客户需求,强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”

  器件 

  这些器件提供宽的规范点范围,让设计人员能够灵活地选择采用DPAK、D2PAK和TO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。

器件型号
封装
VDS (V)
ID (A)
Rdson (mΩ) @ 10 V
Qg (typ) (nc)
EAS (mJ)
NTB5411N
D2PAK
60
75
8.5
92
336
NTP5411N
TO-220
60
75
8.5
92
336
NTB5412N
D2PAK
60
60
14
62
211
NTP5412N
TO-220
60
60
14
62
211
NTB5426N
D2PAK
60
120
5
170
1000
NTP5426N
TO-220
60
120
5
170
1000
NTD5413N
DPAK
60
45
21
33
101
NTD5414N
DPAK
60
20
37.5
21.2
57.8

  所有这些器件都符合RoHS指令要求,并采用无铅封装。

  现已提供样品和生产数量。根据不同器件,制造商建议零售价介于0.60美元至1.75美元之间。

  有关安森美半导体提供的这些中等电压功率MOSFET器件的更多信息请访问 或联系George Riehm(电邮:george.riehm@onsemi.com)。

  关于安森美半导体(ON Semiconductor)

  安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高性能、高能效硅解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器(DSP)、混合信号、先进逻辑、时钟管理、非易失性存储器和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情,请浏览安森美半导体网站:。



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