据通用智能官微消息，日前，通用智能装备有限公司SiC晶锭8寸剥离产线正式交付客户。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低和损耗高。据悉，通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，并成功实现8寸碳化硅晶锭剥离设备的量产。
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碳化硅 晶锭
据科友半导体官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会召开。会上，以黑龙江省科学院原院长郭春景研究员为组长的评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸碳化硅单晶生长的新技术和新工艺，建立了碳化硅衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致同意项目通过阶段验收评审。据了解，8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目是2021年哈尔滨市科技专项计划项目，由哈尔滨科友半导体承担，旨在推动8英寸碳化硅装备国
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碳化硅 科友半导体 第三代半导体材料
碳化硅作为下一代功率半导体的本命，进入了全面的市场拓展阶段。加上面向再生能源的市场，汽车使用市场的增长比最初的预想早了一年多，功率半导体的投资增长也显示出SiC的一方面。不久前，行业也有研究在300mm的SIC增产的动向。然而，解决SiC容量增强问题现在成为主流。这一趋势不仅限于日本和欧洲的功率半导体制造商。美国和中国之间的摩擦导致了SiC的国产化和量产化，这也是影响SIC的一方面。据电子器件行业报道，2023年9月7日，该公司表示，“中国SiC市场全方位战略已扩大工业化加速进入公司约100家。”中国Si
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SIC，液晶，半导体
美国加利福尼亚州圣何塞，2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
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Power Integrations 短路保护 SiC IGBT模块 门极驱动器
三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。一、前言 三相逆变是指转换出的交流电压为三相，
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RS瑞森半导体 碳化硅 MOS管
～产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品～全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 近年来，随着照明用的小型电源
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ROHM Super Junction MOSFET
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择；此外，该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN
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英飞凌 沟槽功率 MOSFET
在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂，怎么做到的？宽禁带材料的优势主要体现在：✦ 与传统的硅基半导体材料相比，宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度，更高的击穿
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GaN 宽禁带 SiC
12月1日消息，近日，据外媒报道，意法半导体（STMicroelectronics）将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元，新建一座碳化硅、超级半导体晶圆厂。该晶圆厂将专门生产碳化硅芯片，为电动车关键技术并具强大成长潜力。报道称，此举是意法半导体继与格芯在法国东南部Crolles的75亿欧元晶圆厂计划后为平衡集团在意法两国布属所为。值得一提的是，今年6月，意法半导体宣布将与三安光电在中国重庆成立200mm碳化硅器件制造合资企业，预计2025年第四季度投产，预计到2030年碳化硅收入将超过50亿美元。
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意法半导体 ST 格芯 晶圆厂 碳化硅 电动车
奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动
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Nexperia SiC MOSFET 工业电源开关
11月28日消息，据外媒报道，日前，英飞凌绿色工业动力部门（GIP）总裁Peter Wawer在受访时透露，英飞凌正在其位于Villach的工厂生产8英寸SiC晶圆的电子样品。他表示，英飞凌目前使用6英寸晶圆，但已经在工厂制备了第一批8英寸晶圆机械样品，很快将它们转化为电子样品，并将在2030年之前大规模量产应用。在产能方面，英飞凌正在通过大幅扩建其Kulim工厂（在2022年2月宣布的原始投资之上）获得更多产能，信息称，英飞凌将建造世界上最大的200毫米晶圆厂SiC（碳化硅）功率工厂。值得一提的是该计划
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英飞凌 碳化硅 晶圆
11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合
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三菱电机 安世 SiC 功率半导体
11 月 21 日消息，据晚点 LatePost 报道，在芯片自研方面，理想同时在研发用于智能驾驶场景的 AI 推理芯片，和用于驱动电机控制器的 SiC 功率芯片。报道称，理想目前正在新加坡组建团队，从事 SiC 功率芯片的研发。在职场应用 LinkedIn 上，已经可以看到理想近期发布的五个新加坡招聘岗位，包括：总经理、SiC 功率模块故障分析 / 物理分析专家、SiC 功率模块设计专家、SiC 功率模块工艺专家和 SiC 功率模块电气设计专家。报道还称，用于智能驾驶的 AI 推理芯片是理想目前的研发重
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伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 革命将引发新型半导体激增，电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响？功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示：“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的开发始于上个世纪，但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配，新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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新能源 氮化镓 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介绍
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