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功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)

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作者:安森美半导体 Francois LHERMITE时间:2008-04-01来源:电子产品世界收藏

  其中:Lp是变压器初级电感;Cdrain是MOSFET漏极上的总。此包括缓冲(如有),变压器绕组杂散电容和MOSFET寄生电容。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/81041.htm

  功率MOSFET模型

  MOSFET的物理结构导致其端口之间形成电容。金属氧化物栅极结构决定了栅极到漏极(Cgd)以及栅极到源极(Cgs)的固有电容。漏极和源极之间的PN结(Cds)是因P+体的存在而产生,其中MOS单元建立在N+衬底顶部上的外延层附近。

  Cgd和Cgs电容在高温中非常稳定,因为其介电材料由玻璃制成。

  图4为功率MOSFET的器件模型。该模型显示存在3个电源电容,如图4所示。此种表示法更像是出自于器件工程师之手,而非应用工程师。实际上,在应用中使用的功率MOSFET的参数应是可从功率器件接入节点处测得的全局性代表参数。这意味着应用数据表中使用了其他电容定义,是内部电容的组合。

  作为例子,表1显示了半导体MTD1N60E数据表上的不同电容。

  表1  功率MOS特性数据表



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