功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
——
对于前两点，常规的闭塞技术使下部的NMOS和PNP一起触发。设定时间结束之后，NMOS关断，只有PNP保持导通。采用典型的5ms闭塞窗口。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/81041.htm在闭塞窗口内，下部NMOS的导通电阻接近于10W。Toff之后的电压振荡创建了非常强的振荡电流(峰-峰值为几十毫安)。因此出现在DRV上的电压可达几百毫伏。
此残留电压触发Soxyless检测器，因为它要进行所需的“谷点”检测。如有闭塞窗口可不考虑这些错误的信号。
产生漏极电压变化的振铃电流是替代方案。
·正向自由振铃栅极电流通过PNP流到地。因此，饱和电压的范围为1.5V。电压大大低于功率MOSFET的栅极门限，因此不会使其导通。
·负向自由振铃栅极电流由钳位Q2 N FET通过电流镜像进行处理。
此有源负向钳位的目的是确保在器件驱动输出上建立虚拟地。
这种电路的第一个难点，一方面是接近+/-15mA的电流容量，另一方面是要检测100mA范围内的微小电流。
Soxyless检测系统的动态范围约为150。
在负电流情况下，电压不能远低于2V，以免使体二极管导通。Q2的自启动必须精确。
强大的驱动电流容量不能影响速度检测。Q2栅极的有源偏置可以自调整钳位电路。
电流镜像可以方便地处理Soxyless电流信号。
快速比较器检测到ZCD时刻，然后提供“谷点”信号。
试验结果
Soxyless技术已经在硅集成上实现。驱动器控制典型的准谐振SMPS。
评论