新闻中心

EEPW首页 > 设计应用 > 功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)

功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)

——
作者:安森美半导体 Francois LHERMITE时间:2008-04-01来源:电子产品世界收藏

  Crss表示共源极配置中的短路反向传输。此参数表示了功率MOSFET在反激式SMPS的关断阶段中的状态。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/81041.htm

  典型应用

  作为典型实例,谐振频率在500kHz的范围内,从漏极平台到谷点的电压变化为100V。根据式3,一般栅极电流峰-峰值幅度的大小是10mA。负值部分的范围是5mA。

  Crss值随着功率MOSFET生产商的不同而变化。对最常用的功率MOSFET所做的调查显示,Crss在10pF和100pF之间变化。

  另一方面,漏极上的总越大,谐振频率就越低。经过适当的折衷,将在变化中流进栅极的电流选为30mA峰-峰值以对应15mA正负电流。

  仿真

  图5显示了采用简化功率MOS模型的混合驱动。



评论


相关推荐

技术专区

关闭