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功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)

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作者:安森美半导体 Francois LHERMITE时间:2008-04-01来源:电子产品世界收藏

  因为Q2 PNP不能流过任何反向电流,只要负电流出现,体二极管就开始导通,形成一个对地的负电压。选择Vacl电压源使得一旦Q3的源极存在负电压,NMOS的栅极就导通。负栅极电流流过Q3。此电路的工作原理如同有源电压钳位网络。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/81041.htm

  于是体二极管电压钳位到:

 

 

  选择的Vacl值接近于Vth,这决定了DRV电压接近于驱动器的接地点。用这种方法可以实现虚拟接地。

  Q3电流通过M1产生镜像。镜像电流通过Rsig 产生“信号”。信号的摆幅可与Vzcd进行比较,用来创建Vvalley信号。为了实现Vvalley信号不受干扰和灵敏的检测,必须选择发生在零点检测前一点的Vzcd电平,以便补偿比较器的传输延迟。

  硅集成实现

  在Soxyless功能模块中处理的信号是非常高速的信号。在典型的应用中,磁芯去磁之后发生的振铃周期在500kHz范围内。对应的半周期的数量级为1ms。很明显,谷点检测速度是一个影响精度的因素。

  Soxyless模块的主要功能为:

  ·启动PNP

  ·禁用推挽驱动器的下部NFET

  ·在漏极电压振荡的负dV/dt部分在驱动器输出DRV上形成“虚拟地”

  ·捕获(流出DRV输出端的)负电流

  ·检测“正向ZCD DRV电流”



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